半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室(100)、第二腔室(200)和第三腔室(300)，其中，所述第一腔室(100)和所述第二腔室(200)对接且连通设置；第三腔室(300)环绕所述第二腔室(200)设置，且二者之间形成第一空腔(A)，所述第三腔室(300)开设有控温流体进口(310)和控温流体出口(320)，所述第一空腔(A)用于控温流体流动以调节所述第二腔室(200)的温度。上述方案能够解决半导体工艺设备中由于带状加热器较难完全贴附在腔室外露的部分，从而导致腔室的局部出现冷点而导致保温效果不理想的问题。而导致保温效果不理想的问题。而导致保温效果不理想的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体加工工艺
，尤其涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]半导体工艺设备的温度控制对于晶片等待加工件的加工工艺有着较大的影响，为了保证工艺产品的性能，对设备的温度稳定性、保温效果提出了更高的要求。以立式热处理设备为例，由于腔室底部外露于外界环境，会与外界环境容易出现热交换，从而导致腔室的外露的部分出现冷点(冷点为工艺腔室的温度最低的部位)，而冷点会对多种工艺过程造成不良影响。例如：LPCVD中的SiN工艺，副产物会在冷点附着，从而造成产品颗粒超标；水蒸气的Anneal工艺，水蒸气在腔室的外露的部分出现冷凝，从而导致腔室内的压力发生波动，甚至与其他腐蚀性气体共同作用产生腐蚀。
[0003]相关技术中，对腔室的外露的部分贴设有带状加热器，从而保证腔室的外露的部分的温度而实现保温效果，进而避免冷点对半导体工艺设备的工艺过程造成不良影响，但由于腔室的外露部分的形状不规则，因此带状加热器较难完全贴附腔室外露的部分，且包裹性较差，从而导致对半导体工艺设备的腔室外露部分的保温不理想。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括第一腔室(100)、第二腔室(200)和第三腔室(300)，其中：所述第一腔室(100)和所述第二腔室(200)对接且连通设置；第三腔室(300)环绕所述第二腔室(200)设置，且二者之间形成第一空腔(A)，所述第三腔室(300)开设有控温流体进口(310)和控温流体出口(320)，所述第一空腔(A)用于控温流体流动以调节所述第二腔室(200)的温度。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括密封门(600)，所述第二腔室(200)远离所述第一腔室(100)的一端开设有端口(210)，所述端口(210)与所述第二腔室(200)连通，所述密封门(600)设于所述第二腔室(200)上用以开闭所述端口(210)，所述第三腔室(300)开设有避让孔，所述密封门(600)位于所述避让孔的边缘围绕的空间中。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括流体输送装置(400)，所述流体输送装置(400)包括流量控制模组(410)和输出管(420)，所述流量控制模组(410)设置于所述输出管(420)上，所述输出管(420)与所述控温流体进口(310)相连，所述输出管(420)与所述第一空腔(A)连通。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括流体加热装置(710)，所述流体加热装置(710)与所述流体输送装置(400)相连，所述流体加热装置(710)用于调节控温流体的温度。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括温度传感器(720)和第一控制器；所述密封门(600)与所述避让孔的内壁之间形成间隙(B)，所述温度传感器(720)设置在所述端口(210)所在的端面上，且位于所述间隙(B)中；所述温度传感器(720)用于检测所述第二腔室(200)的实际温度，所述第一控制器与所述流体加热装置(710)电连接，在所述实际温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧萍，杨帅，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：