半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室(100)、第二腔室(200)和第三腔室(300)，其中，所述第一腔室(100)和所述第二腔室(200)对接且连通设置；第三腔室(300)环绕所述第二腔室(200)设置，且二者之间形成第一空腔(A)，所述第三腔室(300)开设有控温流体进口(310)和控温流体出口(320)，所述第一空腔(A)用于控温流体流动以调节所述第二腔室(200)的温度。上述方案能够解决半导体工艺设备中由于带状加热器较难完全贴附在腔室外露的部分，从而导致腔室的局部出现冷点而导致保温效果不理想的问题。而导致保温效果不理想的问题。而导致保温效果不理想的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体加工工艺
，尤其涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]半导体工艺设备的温度控制对于晶片等待加工件的加工工艺有着较大的影响，为了保证工艺产品的性能，对设备的温度稳定性、保温效果提出了更高的要求。以立式热处理设备为例，由于腔室底部外露于外界环境，会与外界环境容易出现热交换，从而导致腔室的外露的部分出现冷点(冷点为工艺腔室的温度最低的部位)，而冷点会对多种工艺过程造成不良影响。例如：LPCVD中的SiN工艺，副产物会在冷点附着，从而造成产品颗粒超标；水蒸气的Anneal工艺，水蒸气在腔室的外露的部分出现冷凝，从而导致腔室内的压力发生波动，甚至与其他腐蚀性气体共同作用产生腐蚀。
[0003]相关技术中，对腔室的外露的部分贴设有带状加热器，从而保证腔室的外露的部分的温度而实现保温效果，进而避免冷点对半导体工艺设备的工艺过程造成不良影响，但由于腔室的外露部分的形状不规则，因此带状加热器较难完全贴附腔室外露的部分，且包裹性较差，从而导致对半导体工艺设备的腔室外露部分的保温不理想。

技术实现思路

[0004]本申请公开一种半导体工艺设备，以解决相关技术中由于带状加热器较难完全贴附在腔室外露的部分，从而导致腔室的局部出现冷点而导致保温效果不理想的问题。
[0005]为解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
[0006]本申请公开一种半导体工艺设备，包括第一腔室、第二腔室和第三腔室，其中：
[0007]所述第一腔室和所述第二腔室对接且连通设置；第三腔室环绕所述第二腔室设置，且二者之间形成第一空腔，所述第三腔室开设有控温流体进口和控温流体出口，所述第一空腔用于控温流体流动以调节所述第二腔室的温度。
[0008]本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0009]本申请实施例公开的半导体工艺设备通过对相关技术中的半导体工艺设备进行改造，使得所公开的半导体工艺设备包括第三腔室，第三腔室环绕第二腔室设置，且二者之间形成第一空腔，同时，第三腔室开设有控温流体进口和控温流体出口，控温流体从控温流体进口进入第一空腔，控温流体将自身的热量传递至第二腔室中，然后，控温流体再从控温流体出口流出，从而使得第一空腔中的控温流体的温度始终保持不变。同时，第三腔室不需要贴设在第二腔室的表面，且第三腔室能够将第二腔室环绕，控温流体在两者形成的第一空腔进行流动，控温流体能够与第二腔室接触，而且不会受第二腔室的外部形状的影响，从而使得控温流体的热量能够传递至第二腔室，进而避免第二腔室出现冷点，同时第一腔室至少部分位于加热空间内，从而使得第一腔室和第二腔室的连接处也较难出现冷点，从而避免晶片等待加工件的加工工艺中出现冷凝的副产品，从而保证容纳空间的温度能够满足晶片等待加工件的加工工艺的温度需求。本申请在保证半导体工艺设备的工艺效果的同
时，还能为第一腔室和第二腔室提供良好的保温效果。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本申请实施例或
技术介绍
中的技术方案，下面将对实施例或
技术介绍
描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备在第一种角度下的局部剖视图；
[0012]图2是本申请实施例公开的半导体工艺设备在第二种角度下的局部剖视图。
[0013]附图标记说明：
[0014]100
‑
第一腔室、110
‑
第一法兰、120
‑
压环、
[0015]200
‑
第二腔室、210
‑
端口、220
‑
第二法兰、221
‑
密封圈、
[0016]300
‑
第三腔室、310
‑
控温流体进口、320
‑
控温流体出口、
[0017]400
‑
流体输送装置、410
‑
流量控制模组、420
‑
输出管、
[0018]500
‑
加热器、
[0019]600
‑
密封门、
[0020]710
‑
流体加热装置、720
‑
温度传感器、
[0021]800
‑
隔热层、
[0022]900
‑
压力检测模组、910
‑
测压管道、
[0023]A
‑
第一空腔、
[0024]B
‑
间隙、
[0025]C
‑
第二空腔。
具体实施方式
[0026]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]以下结合附图，详细说明本申请各个实施例公开的技术方案。
[0028]请参考图1和图2，本申请实施例公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室100、第二腔室200和第三腔室300。
[0029]第一腔室100和第二腔室200均能够为晶片等待加工件的加工提供加工场所，具体地，第一腔室100和第二腔室200对接且连通设置，晶片等待加工件能够位于第一腔室100和第二腔室200形成的容纳空间内，其中，半导体工艺设备包括加热器500，第一腔室100至少部分位于加热器500的加热空间中，从而使得加热器500能够对第一腔室100进行加热，进而保证第一腔室100能够形成晶片等待加工件的加工工艺所需的温度环境。
[0030]同时，第三腔室300环绕第二腔室200设置，且二者之间形成第一空腔A，第三腔室300开设有控温流体进口310和控温流体出口320，其中，控温流体进口310和控温流体出口320均与第一空腔A连通，第一空腔A用于控温流体流动以调节第二腔室200的温度，具体地，控温流体通过控温流体进口310进入至第一空腔A中，控温流体能够将热量传递至第二腔室
200，从而使得第二腔室200的内部空间的温度上升，然后，传递完热量的控温流体从控温流体出口320流出。上述结构使得控温流体能够在第一空腔A中流动，从而避免控温流体传递热量后囤积在第一空腔A中，进而避免降温后的控温流体再吸取第二腔室200的热量，进而保证第二腔室200较难出现冷点，进而保证第二腔室200也能够形成晶片等待加工件的加工工艺所需的温度环境。
[0031]在半导体工艺设备的工作过程中，晶片等待加工件位于第一腔室100和第二腔室200形成的容纳空间内，由于第一腔室100本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括第一腔室(100)、第二腔室(200)和第三腔室(300)，其中：所述第一腔室(100)和所述第二腔室(200)对接且连通设置；第三腔室(300)环绕所述第二腔室(200)设置，且二者之间形成第一空腔(A)，所述第三腔室(300)开设有控温流体进口(310)和控温流体出口(320)，所述第一空腔(A)用于控温流体流动以调节所述第二腔室(200)的温度。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括密封门(600)，所述第二腔室(200)远离所述第一腔室(100)的一端开设有端口(210)，所述端口(210)与所述第二腔室(200)连通，所述密封门(600)设于所述第二腔室(200)上用以开闭所述端口(210)，所述第三腔室(300)开设有避让孔，所述密封门(600)位于所述避让孔的边缘围绕的空间中。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括流体输送装置(400)，所述流体输送装置(400)包括流量控制模组(410)和输出管(420)，所述流量控制模组(410)设置于所述输出管(420)上，所述输出管(420)与所述控温流体进口(310)相连，所述输出管(420)与所述第一空腔(A)连通。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括流体加热装置(710)，所述流体加热装置(710)与所述流体输送装置(400)相连，所述流体加热装置(710)用于调节控温流体的温度。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括温度传感器(720)和第一控制器；所述密封门(600)与所述避让孔的内壁之间形成间隙(B)，所述温度传感器(720)设置在所述端口(210)所在的端面上，且位于所述间隙(B)中；所述温度传感器(720)用于检测所述第二腔室(200)的实际温度，所述第一控制器与所述流体加热装置(710)电连接，在所述实际温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧萍，杨帅，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：