一种半导体工艺设备的反应腔室制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，该内腔体和该内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，该外腔体和该外盖板将该内腔室包裹在内并在该内腔室的外周留有空余空间，该内腔室与该外盖板和该外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在该通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。腔室的连接并确保密封。腔室的连接并确保密封。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺设备的反应腔室


[0001]本技术涉及一种半导体工艺设备的反应腔室。

技术介绍

[0002]在半导体工艺设备例如薄膜沉积的设备中，不同的化学薄膜沉积反应能够正常进行的一般条件需要设备中的反应腔室内在接近真空或惰性气氛下，达到300℃左右或更高温度，才能进行相应的化学反应。
[0003]然而，现有技术中半导体工艺设备的反应腔室中的腔体通常与外部环境直接接触，使得反应腔室内部的热量很容易散发出去，造成能量损失。与此同时，反应腔室散发的热量会使腔体外表面温度较高，容易对人员造成烫伤，给工艺操作带来不便。
[0004]因此，为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体工艺设备的反应腔室，通过减少反应腔室与外部环境的直接接触面积以及降低腔室结构的热传导率，来减少腔内热量向外扩散形成的能量损失，同时降低工艺设备最外层壳体的温度，避免对不小心接触到腔体或盖板的操作人员造成烫伤等危险。

技术实现思路

[0005]为了克服上述缺陷，本技术提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括：相互匹配密封的内腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，所述内腔体和所述内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，所述外腔体和所述外盖板将所述内腔室包裹在内并在所述内腔室的外周留有空余空间，所述内腔室与所述外盖板和所述外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在所述通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述外盖板和所述外腔体上还开有孔洞用于外接抽气泵以对所述空余空间抽真空。3.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述空余空间用于填充保温介质以对所述内腔室进行保温隔热。4.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述内腔体和所述内盖板的连接处与所述外腔体和所述外盖板的连接处位于同一平面，在该平面上沿所述内腔室的外周还设有端面连接机构，所述端面连接机构用于连接内外腔室并确保盖板连接处的密封。5.如权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述端面连接机构包括连接支架，所述连接支架与内外腔室盖板连接处之间的形状紧密配合，所述内盖板、...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜夺夺，吴凤丽，刘振，杨华龙，杨天奇，张启辉，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：