【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割方法及系统相关申请案的交叉引用本申请案主张2010年6月22日提出申请的美国临时申请案第61/357，468号之权益，该案之全部内容以引用之方式并入本文中。背景 I)领域本专利技术之实施例系关于半导体处理领域，且特定言之系关于切割半导体晶圆之方法，其中每一晶圆在该晶圆上具有多个集成电路。2)相关技术的描述在半导体晶圆处理中，在由硅或其他半导体材料组成之晶圆(亦被称作基板)上形成集成电路。通常，利用半导体、导电或绝缘之不同材料层来形成集成电路。使用各种熟知制程掺杂、沈积及蚀刻此等材料，以形成集成电路。处理每一晶圆以形成大量含有集成电路之个别区域，该等个别区域称为晶粒。在集成电路形成制程之后，「切割」晶圆以将个别晶粒彼此分隔，以用于封装或在较大电路内以未封装形式使用。用于晶圆切割之两种主要技术为划线及锯切。藉由划线，沿预成形之划割线越过晶圆表面移动金刚石尖头划线器。此等划割线沿晶粒之间的间隔延伸。此等间隔通常被称作「切割道(street)」。金刚石划线器沿切割道在晶圆表面中形成浅划痕。在诸如以滚轴施加压力之后，晶圆沿该等划割线分...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：类维生，B·伊顿，M·R·亚拉曼希里，S·辛格，A·库玛，J·M·霍尔登，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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