激光剥离装置制造方法及图纸

能够不在形成在基板上的材料层中产生破裂地以短时间进行激光剥离处理。为了在基板（1）与上述材料层（2）之间的界面处使上述材料层从上述基板剥离，对在基板（1）上形成了材料层（2）而得到的工件（3），从基板（1）侧经由掩模（44）照射激光。激光被掩模（44）分割为多个小面积的激光，在工件上形成相互分离的多个照射区域。此外，相邻的照射区域相互分离，并被配置为，各照射区域的端部、和邻接的照射区域的在与工件的相对移动方向平行的方向上延伸的端部随着工件移动而依次重叠，上述各照射区域的端部与邻接的照射区域的端部相互重叠。由此，能够不在形成在基板上的材料层中产生破裂地使材料层可靠地从基板剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种激光剥离装置，在由化合物半导体形成的半导体发光元件的制造工序中，通过对在基板上形成的结晶层照射激光，将该结晶层分解并从该基板剥离(以下称作激光剥离)。特别涉及一种激光剥离装置，将经由激光出射部的激光透过基板而照射，一边不断改变脉冲激光向工件的照射区域，一边在基板与结晶层的界面处将结晶层从基板剥离。
技术介绍
在由GaN (氮化镓)类化合物半导体形成的半导体发光元件的制造工序中，公知有将在蓝宝石基板之上形成的GaN类化合物结晶层通过从该蓝宝石基板的背面照射激光而进行剥离的激光剥离的技术。以下，将对在基板上形成的结晶层(以下称作材料层)照射激 光而从基板将材料层剥离的方式称作激光剥离。例如，在专利文献I中，记载了以下技术，即在蓝宝石基板之上形成GaN层，通过从该蓝宝石基板的背面照射激光，形成GaN层的GaN被分解，将该GaN层从蓝宝石基板剥离。以下，将在基板上形成了材料层后得到的结构称作工件。在专利文献2中，记载了一边搬送工件一边隔着蓝宝石基板对工件照射线状的激光的情况。具体而言，在该文献中，公开了如下技术如图12所示，以使向蓝宝石基板121与GaN类化合物的材料层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田僚三，鸣海惠司，
申请(专利权)人：优志旺电机株式会社，
类型：
国别省市：