激光处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不必在激光处理装置中设置加载互锁室等、能迅速地搬出、搬入被处理体，而且能在短时间内使处理室内的气氛稳定的激光处理装置。本发明专利技术的激光处理装置包括：处理室（2），该处理室（2）收纳被处理体（100），并在进行了调节的气氛下对被处理体（100）照射激光；以及光学系统，该光学系统将激光从外部导向处理室（2）内，处理室（2）具有用于将被处理体（100）从处理室（2）外部装入处理室（2）内部的、可开闭的装入口（7），在处理室（2）内部，包括与装入口（7）相连的加载区域（A）、及与加载区域（A）相连的激光照射区域（B），并具有分隔部，该分隔部将加载区域（A）分隔成装入口侧的空间（A1）和激光照射区域侧的空间（A2），分隔部能使被处理体（100）在装入口侧空间（A1）与激光照射区域侧空间（A2）之间移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对被处理体照射激光来进行激光退火等处理的激光处理装置。
技术介绍
在用于平板显示器的基板等中的半导体薄膜中，已知有使用非晶质膜的情况，除此之外，还有使用晶体薄膜的情况。提出有一种通过激光对非晶质膜进行退火以使其晶化来制造该晶体薄膜的方法。此外，作为激光退火处理，也已知有对晶质膜照射激光来除去缺陷和改善结晶性等以改性为目的处理。在上述激光退火等处理中，采用除去大气影响、控制成最适合晶化等的气氛的方法。对于该气氛，除了氮等惰性气体、真空等以外，还已知有将少量的氧等主动地与这些气氛进行混合的方法。为了调节上述气氛，将被处理体收纳在处理室内，调节该收纳室内的气氛，然后从处理室外部导入激光来照射被处理体。但是，在将被处理体从处理室外部装入处理室内部时，因打开处理室的装入口等而使大气混入处理室内。因此，需要进行处理 室内的气氛调节(低氧浓度等)，但存在需要使气氛稳定的时间、生产效率低这样的问题。因此，提出有在处理室之外另外设置用于搬入、搬出半导体用基板的加载互锁室(load lockchamber)的激光处理装置的方案(例如,参照专利文献I)。根据图13对该装置进行说明。在处理室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.12 JP 2010-091802;2011.04.08 JP 2011-086141.一种激光处理装置，其特征在于，包括 处理室，该处理室收纳被处理体，并在进行了调节的气氛下对该被处理体照射激光；以及光学系统，该光学系统将激光从外部导向该处理室内， 所述处理室具有用于将所述被处理体从所述处理室外部装入所述处理室内部的、能开闭的装入口，并在所述处理室内部包括与所述装入口相连的加载区域、及与该加载区域相连的激光照射区域， 在所述加载区域具有分隔部，该分隔部分隔出所述装入口侧的空间和包含所述激光照射区域的激光照射区域侧的空间，该分隔部能使所述被处理体在所述装入口侧的空间与所述激光照射区域侧的空间之间移动。2.如权利要求I所述的激光处理装置，其特征在于，所述分隔部具有分隔出所述装入口侧的空间和所述激光照射区域侧的空间的分隔壁。3.如权利要求I所述的激光处理装置，其特征在于，所述分隔部具有分隔出所述装入口侧的空间和所述激光照射区域侧的空间的气氛气帘。4.如权利要求I至3的任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述分隔部分隔出作为所述装入口侧空间的所述加载区域、及作为所述激光照射区域侧空间的所述激光照射区域。5.如权利要求I至3的任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述分隔部分隔出处于所述加载区域内的所述装入口侧空间、及包含所述加载区域的一部分的所述激光照射区域侧空间。6.如权利要求I至3的任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述分隔部分隔出处于所述加载区域内的所述装入口侧空间、及包含对装入所述加载区域的被处理体予以保持的保持位置侧空间的所述激光照射区域侧空间。7.如权利要求I至6的任一项所述的激光处理装置，其特征在于，在所述装入口侧空间能通气地连接有装入口侧供气装置和装入口侧排气装置。8.如权利要求I至7的任一项所述的激光处理装置，其特征在于，在所述激光照射区域能通气地连接有照射区域供气装置和照射区域排气装置。9.如权利要求I至8的任一项所述的激光处理装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：松岛达郎，伊藤大介，佐塚祐贵，时久昌吉，田子洋辅，清水良，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：
国别省市：