扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法技术

本发明专利技术提供扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法，本发明专利技术的一个方案为用于在半导体基板上印刷掺杂剂成分的扩散剂组合物，其包含硅化合物(A)、掺杂剂成分(B)和非掺杂剂金属成分(C)。这些成分中，作为非掺杂剂金属成分(C)而含有的Na的含量相对于组合物整体小于60ppb。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
一直以来，在太阳能电池的制造中，在半导体基板中形成例如N型或P型的杂质扩散层时，利用如下的方法来进行，即，将包含N型或P型的掺杂剂成分(也称为杂质扩散成分)的杂质扩散剂涂布在上述半导体基板上，使用扩散炉等施加热处理，从而使杂质扩散剂扩散到半导体基板中。另外，近年来，为了形成更高效率的太阳能电池，提出了使用喷墨方式将扩散剂在半导体基板表面图案化的方法(例如，参照专利文献I 3)。喷墨方式中，不使用掩模而直接从喷墨喷嘴向杂质扩散层形成区域选择性喷出扩散剂从而进行图案化，因此，与以往的光刻法等相比较，不需要繁杂的工序就可以削减使用溶液的量并容易地形成图案。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2003-168810号公报专利文献2 日本特开2003-332606号公报专利文献3 日本特开2006-156646号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在使用包含N型或P型的掺杂剂成分的扩散剂而在太阳能电池用的半导体基板中形成杂质扩散层时，存在以下问题扩散剂中所含的、掺杂剂成分以外的金属成分会导致扩散剂的扩散性能降低、半导体基板的电特性降低。本专利技术鉴于上述问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田敏郎，神园乔，宫城忠，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：
国别省市：