p型扩散层形成组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法技术

本发明专利技术的p型扩散层形成组合物含有：含受体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该p型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】p型扩散层形成组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
本专利技术涉及太阳能电池元件的p型扩散层形成组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法，更详细地说，涉及使作为半导体基板的硅基板的内部应力减小、能够抑制晶粒间界的损伤、抑制结晶缺陷增长和抑制翘曲的p型扩散层形成技术。
技术介绍
对以往的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。首先，为了促进光封闭效果而实现高效率化，准备形成了纹理结构的p型硅基板，接着，在氧氯化磷(POCl3)、氮气、氧气的混合气体气氛中在800～900℃下进行数十分钟的处理，在基板上均匀地形成n型扩散层。对于该以往的方法而言，由于使用混合气体进行磷的扩散，因此不仅表面形成n型扩散层，而且在侧面、背面也形成n型扩散层。因此，进行用于将侧面的n型扩散层除去的侧蚀刻。此外，背面的n型扩散层必须变换为p+型扩散层，在背面印刷铝糊剂，将其烧成，在使n型扩散层成为p+型扩散层的同时，得到了欧姆连接。但是，由铝糊剂形成的铝层的电导率低，为了降低薄膜电阻，通常在整个背面形成的铝层在烧成后必须具有10～20μm左右的厚度。进而，如果形成这样厚的铝层，则由于硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.23 JP 2010-1002231.一种p型扩散层形成组合物，其含有：含受体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质，所述玻璃粉末的粒径为50μm以下，所述p型扩散层形成组合物中的所述玻璃粉末的含有比率为0.1质量％以上95质量％以下。2.如权利要求1所述的p型扩散层形成组合物，其中，所述受体元素为从硼B、铝Al和镓Ga中选择的至少1种。3.如权利要求1或2所述的p型扩散层形成组合物，其中，含所述受体元素的玻璃粉末含有：从B2O3、Al2O3和Ga2O3中选择的至少1种的含有受体元素的物质；和从SiO2、K2O、...

【专利技术属性】
技术研发人员：町井洋一，吉田诚人，野尻刚，冈庭香，岩室光则，足立修一郎，佐藤铁也，木泽桂子，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：
国别省市：