制造半导体器件的方法技术

制备具有表面的碳化硅衬底。通过执行通过表面到碳化硅衬底中的离子注入而形成杂质区（123至125）。执行用于活化杂质区的退火。退火包括：利用具有第一波长的第一激光照射碳化硅衬底的表面的步骤，以及利用具有第二波长的第二激光照射碳化硅衬底的表面的步骤。碳化硅衬底在第一和第二波长下分别具有第一和第二消光系数，第一消光系数与第一波长的比率大于5×105/m。第二消光系数与第二波长的比率小于5×105/m。因此可以减小在激光退火期间对碳化硅衬底表面的损伤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，且更具体涉及制造包括碳化硅衬底的半导体器件的方法。
技术介绍
近年来，已经开始使用碳化硅衬底用于制造半导体器件。碳化硅具有比作为更常用的材料的硅更宽的带隙。因此，包括碳化硅衬底的半导体器件具有诸如高击穿电压、低导通电阻以及在高温环境下性能下降小的优点。 如制造包括硅衬底的半导体器件的方法，在制造包括碳化硅衬底的半导体器件的方法中需要用于活化杂质区的退火步骤。但是，用于衬底的不同材料需要不同的优化退火步骤。例如，日本专利特开No. 2002-289550 (专利文献I)公开了ー种利用具有等于或大于带隙的能量的激光照射诸如碳化硅的宽带隙半导体的退火步骤。引用列表专利文献PTLl 日本专利特开 No. 2002-289550
技术实现思路
技术问题但是，使用上述常规技木，具有充分活化杂质区所需的强度的激光退火会致使碳化硅衬底的表面损伤，这导致半导体器件的可靠性降低。例如，碳化硅衬底的表面可能是粗糙的，这会致使其上形成的膜、特别是栅极绝缘膜的可靠性降低。因此，本专利技术的ー个目的是提供一种，该方法能在激光退火期间降低对碳化娃衬底表面的损伤。问题解决方案制造本专利技术的半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田良辅，和田圭司，增田健良，盐见弘，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：