半导体器件和用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。常规上，通过在器件衬底中沉积铂来抑制硅化镍中的镍的扩散。用沉积的方式引入铂使得铂仅停留在表层，而无法有效地在所需的深度上抑制镍的扩散。根据本发明专利技术，通过在衬底中注入铂并且在所述衬底中的注入有铂的区域中形成硅化镍，形成半导体器件。通过利用本发明专利技术，铂可分布在所需要的深度范围中，从而更加有效地抑制镍的扩散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。更特别地，本专利技术涉及包含硅化镍的半导体器件和该半导体器件的制造方法。
技术介绍
与钛或钴的硅化物相比，硅化镍具有很多优点。例如，硅化镍具有低的电阻率、低的硅消耗量以及良好的拉应カ性能。此外，硅化镍可在较低温度下形成并且几乎没有线宽效应。由于硅化镍的这些优点，近年来，硅化镍(NiSi)已被广泛应用于半导体器件中。例如，硅化镍适于用作高级CMOS(互补金属氧化物半导体)技术中的肖特基势垒接触材料，以与硅形成肖特基结(肖特基ニ极管)。然而，与钛和钴等金属相比，硅化镍具有较差的热稳定性，S卩，其中的镍很容易扩散。例如，在CMOS技术中，在重掺杂注入的情况下，如果缺乏损伤修复机制，那么即使在诸如250°C 300°C的低温エ艺窗中，镍仍然是容易扩散的。镍的扩散例如可能造成管状缺陷(piping)和尖峰状缺陷(spiking)。这些缺陷可能导致MOS晶体管中的泄漏电流，从而使得器件的性能降低并且成品率下降。图I示出了 MOS晶体管中的镍扩散导致的缺陷的示意图。如图I所示，镍的扩散可能导致横向的(向着沟道区域的)管状缺陷，从而导致泄露电流的产生。已知在用于形成硅化镍的相关エ艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底中注入铂；和在所述衬底中的注入有铂的区域中形成硅化镍。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兵，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：