一种管式PECVD镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种管式PECVD镀膜方法，在不增加管式PECVD机台数量的情况下，通过增加石墨舟舟片数量和改进沉积方法来提高单舟的生产能力，降低了太阳能电池的制造成本；同时本发明专利技术所述方法适合于缩小间距的窄间距石墨舟射频电场，改善等离子反应气场的稳定性，得到膜厚和折射率均匀分布氮化硅薄膜，满足大规模生产的品质要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳能电池管式PECVD氮化硅薄膜沉积方法，具体涉及一种采用21舟片石墨舟的管式PECVD镀膜方法。
技术介绍
对于晶体硅太阳能电池管式PECVD (等离子增强化学气相沉积技术)氮化硅薄膜沉积技术，采用氨气和硅烷作为等离子反应气体源，采用石墨舟片做为硅片的承载板和射频电极，常规的石墨舟由19片石墨舟片相间排列组装而成，产量较低，必须通过增加管式PECVD机台数来提高产量(一台捷佳创管式PECVD〈4管 > 售价约500万元)，由此使得电池制造成本大幅度上升。因此，通过增加舟片，增加硅片的承载数量来提高产能，其成本要比增加炉管低很多；不过，增加舟片后，舟片外形上会变宽，而石英炉管的直径有限，不能适用变宽的石墨舟，给改造带来困难。为了保证整个舟的总宽度不变或变化不大，采取将舟片间的间距相应缩小来实现提闻广能的目的。目如19片石墨舟相对舟片之间的间距为11mm，也就是射频正负端电极之间的距离为11mm，是行业内普遍采用的间距，镀膜均匀性也好；不过当间距进一步缩小时，会造成射频和等离子电场不稳定，氮化硅薄膜沉积效果随之变差，严重影响镀膜品质，因此采用缩小舟片间距石本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种管式PECVD镀膜方法，其特征在于：具体方法如下：（1）石英炉管内放入21片石墨舟，石墨舟片间距为10mm；（2）抽真空，石英炉管压力小于50mTorr；（3）检漏，漏率低于40mTorr/min？；（4）清洁表面：石墨舟及硅片表面用等离子清洗4min？5min；？（5）预沉积：利用低流量氨气和硅烷在硅片表面形成极薄的氮化硅薄膜，为氮化硅薄膜的生长做准备；？？？？（6）氮化硅薄膜沉积：沉积过程中，射频功率：7500～9000w，氨气流量：7000～8500sccm，硅烷流量：600～800sccm，射频（RF）开关比为4/72，炉管压力1600～1800mTorr。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞瑞卿，王海超，王昭，赵辉，黄登銮，
申请(专利权)人：合肥海润光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：