【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种镀膜装置，特别涉及一种向被处理基板进行共蒸镀的。
技术介绍
众所周知，镀膜工艺在工业界的应用极广，一般常使用在金属加工业、半导体业以及光电产业等。近几年来，又由于半导体业与光电产业的迅速发展，使得镀膜技术又有重大的进展。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜简称为蒸镀，通常将薄膜材料由固态转化为气态或离子态，气态或离子态的材料由蒸发源穿越空间，抵达基本表面，材料抵达基板表面后，将沉积而逐渐形成薄膜。通常，为了制作高纯度的薄膜，镀膜的工艺须于高真空环境下完成，一般做法为将基板以超音波清洗机洗净，洗净后排上夹具，送入镀膜装置，进行加热及抽真空；达到高真空后，开始镀膜，镀膜时，采用电阻加热蒸镀或电子枪的电子轰击，将薄膜材料变成气态或离子态，镀膜时间则视层数及程度不同而有长短，镀膜完毕后，待基板冷却后取出。然而传统技术的镀膜装置，在同一基板上同时镀上两种不同的材料时，特别是需要“即时”调整两种材料的比例甚至是形成浓度渐变的膜层，具有一定的难度。如图1所示，镀膜装置包括第一蒸镀源101、第二蒸镀源102，同时设置于被处理基板2...
【技术保护点】
一种向被处理基板进行共蒸镀的镀膜装置，包括：第一蒸镀源，设置于所述被处理基板的下方；第二蒸镀源，设置于所述被处理基板的下方；以及第一开孔遮板，设置于所述第一蒸镀源与所述被处理基板之间，所述第一开孔遮板包括多个开孔密度不同的开孔区域，可通过旋转，以使开孔密度不同的开孔区域对准所述第一蒸镀源。
【技术特征摘要】
1.一种向被处理基板进行共蒸镀的镀膜装置，包括: 第一蒸镀源，设置于所述被处理基板的下方； 第二蒸镀源，设置于所述被处理基板的下方；以及 第一开孔遮板，设置于所述第一蒸镀源与所述被处理基板之间，所述第一开孔遮板包括多个开孔密度不同的开孔区域，可通过旋转，以使开孔密度不同的开孔区域对准所述第一蒸镀源。2.根据权利要求1的镀膜装置，其中所述镀膜装置还包括第二开孔遮板，设置于所述第二蒸镀源与所述被处理基板之间，所述第二开孔遮板包括多个开孔密度不同的开孔区域，可通过旋转，以使开孔密度不同的开孔区域对准所述第二蒸镀源。3.一种利用根据权利要求1或2的镀膜装置进行镀膜的方法，包括以下步骤: 将两种不同的材料分别装载于所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源中； 调整所述第一开孔遮板，使所述第一开孔遮板上的任一开孔密度不同的开孔区域对准所述第一蒸镀源；以及 通过所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源将所述材料镀于所述被处理基板的表面。4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹忠哲，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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