本实用新型专利技术公开了一种真空蒸发镀膜装置，包括真空室，所述真空室内设有蒸发源和基片，所述基片的被镀一面在蒸发源之上，其中，所述基片固定在可水平往复运动的金属板上；所述真空室的顶部开设有冷却气氛入口,所述冷却气氛入口的一侧通过调节阀与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室并设置有导气装置。本实用新型专利技术提供的真空蒸发镀膜装置，将基片固定在可水平往复运动的金属板上，从而保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致基片损坏，提高产品合格率；通过在真空室的顶部开设冷却气氛入口，采用气体冷却的方式，进一步简化真空室内机械结构并能实时监测基片背后的金属板的温度即基片的表面温度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种真空蒸发镀膜装置，包括真空室，所述真空室内设有蒸发源和基片，所述基片的被镀一面在蒸发源之上，其中，所述基片固定在可水平往复运动的金属板上；所述真空室的顶部开设有冷却气氛入口,所述冷却气氛入口的一侧通过调节阀与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室并设置有导气装置。本技术提供的真空蒸发镀膜装置，将基片固定在可水平往复运动的金属板上，从而保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致基片损坏，提高产品合格率；通过在真空室的顶部开设冷却气氛入口，采用气体冷却的方式，进一步简化真空室内机械结构并能实时监测基片背后的金属板的温度即基片的表面温度。【专利说明】一种真空蒸发镀膜装置
本技术涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种真空蒸发镀膜装置。
技术介绍
镀膜机主要由进(出)料室、镀膜室、线性硒蒸发源系统、冷却水系统、真空系统及控制系统组成。作为硒薄膜的载体(基片)，可以是筒鼓或薄板。非晶硒薄膜镀膜一般使用纯硒做蒸发用的原料，硒在化学元素周期表中属于氧族元素，硒的熔点为217°C，沸点为684.90C ;硒具有光电效应性能，非晶硒薄膜在图片、文件资料以及制图系统等复制设备中作为重要的传递介质而存在。例如，复印机的硒鼓，DR平板探测器的非晶硒光电二极管阵列组件等。蒸镀非晶硒薄膜的基片一般为玻璃，基片的允许温度范围在50_80°C范围内，基片温度过高会使非晶态的硒转变为晶体硒，而基片温度过低会影响薄膜的结合强度以及基片的应力释放，所以镀膜时如何控制好基片温度就成为影响非晶硒薄膜质量的重要因素。传统的控温方式一般是在真空室外表面分布有冷却水管或冷却水夹层，真空室内部安装用于烘烤的加热器，二者结合来控制基片的温度，基片温度过高时不能及时将温度降下来，产品合格率不稳定。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种真空蒸发镀膜装置，能够保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致的基片损坏问题，提高产品合格率，且结构简单，易于推广应用。本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种真空蒸发镀膜装置，包括真空室，所述真空室内设有蒸发源和基片，所述基片的被镀一面在蒸发源之上，其中，所述基片固定在可水平往复运动的金属板上。上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述真空室的顶部开设有冷却气氛入口，所述冷却气氛入口的一侧通过调节阀与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室并设置有导气>J-U ρ?α装直。上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述冷却气体气源为氩气或氦气。上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述冷却气氛入口的两侧设有分子泵。上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述金属板和真空室之间设有柔性挡板，所述柔性挡板分布在分子泵的两侧。上述的真空蒸发镀膜装置，其中，所述金属板面对冷却气氛入口一侧的表面上设有散热槽。本技术对比现有技术有如下的有益效果:本技术提供的真空蒸发镀膜装置，将基片固定在可水平往复运动的金属板上，从而保证镀膜的均匀性，有效避免散热不均匀或冷却过快导致基片损坏，提高产品合格率。此外，本技术在真空室的顶部开设冷却气氛入口，采用气体冷却的方式，进一步简化真空室内机械结构，通过实时监测基片背后的金属板的温度即基片的表面温度，调整冷却气氛流量，更好地避免因散热不均匀或冷却过快而导致基片损坏，提闻广品合格率。【专利附图】【附图说明】图1为本技术真空蒸发镀膜装置结构示意图。图中:I真空室2蒸发源3基片4金属板5冷却气氛入口 6调节阀7分子泵8柔性挡板【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术作进一步的描述。图1为本技术真空蒸发镀膜装置结构示意图。请参见图1，本技术提供的真空蒸发镀膜装置包括真空室1，所述真空室I内设有蒸发源2和基片3，所述基片3的被镀一面在蒸发源2之上，其中，所述基片3固定在可水平往复运动的金 属板4上。本技术提供的真空蒸发镀膜装置，基片3被镀一面在蒸发源2之上，基片3固定在金属板4上组成基片传输机构，金属板4的材料可以是铜或其他散热良好且耐温的材料，外形尺寸要大于基片3本身，以防止蒸发物质越过金属板污染其他零部件；基片3随金属板4在水平方向做往复运动，保证基片表面的镀膜的均匀性。本技术提供的真空蒸发镀膜装置，真空室I的顶部设置一个冷却气氛入口 5，所述冷却气氛入口 5的一侧通过调节阀6与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室I中并设置有导气装置(图未示)。冷却气体气源可以是氩气或氦气。金属板4面对冷却气氛入口 5—侧的表面可设置散热槽(图未示)，便于冷却气氛通过时迅速带走金属板的热量。在蒸发镀膜过程中，冷却气体会持续通入真空室I吹到基片背后的金属板4散热槽上，气体流量的大小与基片的面积、基片蒸发镀膜时温度多少及其温度变化的速度均有关系。此外，本技术提供的真空蒸发镀膜装置，所述冷却气氛入口 5的两边可安装两台抽速较高的分子泵7，进入真空室I的冷却气体在通过金属板散热槽后，应该能迅速被两台分子泵抽掉；另外，两台分子泵7所组成的区域与金属板4之间安装有柔性挡板8，如橡胶挡板，使该空间形成一个负压区，在蒸发镀膜时整个真空室I内的工作压力不会出现骤升骤降等压力变化，确保镀膜过程持续进行。虽然本技术已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本技术，任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本技术的保护范围当以权利要求书所界定的为准。【权利要求】1.一种真空蒸发镀膜装置，包括真空室(I)，所述真空室(I)内设有蒸发源(2)和基片(3)，所述基片(3)的被镀一面在蒸发源(2)之上，其特征在于，所述基片(3)固定在可水平往复运动的金属板(4)上，所述真空室(I)的顶部开设有冷却气氛入口(5)，所述冷却气氛入口(5)的一侧通过调节阀(6)与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室(I)并设置有导气装置，所述冷却气氛入口(5)的两侧设有分子泵(7)，所述金属板(4)和真空室(I)之间设有柔性挡板(8)，所述柔性挡板(8)分布在分子泵(7)的两侧，所述金属板(4)面对冷却气氛入口(5) —侧的表面上设有散热槽。2.如权利要求1所述的真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述冷却气体气源为氩气或氦气。【文档编号】C23C14/24GK203754797SQ201320746064【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年11月22日 优先权日:2013年11月22日 【专利技术者】毛念新, 严仲君, 黄翔鄂, 王新征 申请人:上海嘉森真空科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空蒸发镀膜装置，包括真空室(1)，所述真空室(1)内设有蒸发源(2)和基片(3)，所述基片(3)的被镀一面在蒸发源(2)之上，其特征在于，所述基片(3)固定在可水平往复运动的金属板(4)上，所述真空室(1)的顶部开设有冷却气氛入口(5),所述冷却气氛入口(5)的一侧通过调节阀(6)与冷却气体气源相连接，另一侧伸入真空室(1)并设置有导气装置，所述冷却气氛入口(5)的两侧设有分子泵(7)，所述金属板(4)和真空室(1)之间设有柔性挡板(8)，所述柔性挡板(8)分布在分子泵(7)的两侧，所述金属板(4)面对冷却气氛入口(5)一侧的表面上设有散热槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛念新，严仲君，黄翔鄂，王新征，
申请(专利权)人：上海嘉森真空科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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