一种镀膜返工片的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种镀膜返工片的清洗方法，包括如下步骤：(1)将镀膜返工片放入10wt%～20wt%的HF溶液中，浸泡900～1800s；(2)将硅片放入常温的去离子水中，鼓泡清洗200～300s；(3)将硅片放入H2O2和NH4OH的混合溶液，控制温度在65～85℃，反应时间15～200s；(4)将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200～300s；(5)将硅片放入常温的5wt%的HF溶液中，常温反应210s；最后去离子水溢流清洗200～300s两次，取出硅片甩干。本发明专利技术生产流程简单，可去除SiNx薄膜和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产效率和质量效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)将镀膜返工片放入10wt%～20wt%的HF溶液中，浸泡900～1800s，去除硅片表面沉积的氮化硅膜层；(2)将硅片放入常温的去离子水中，鼓泡清洗200～300s；(3)将硅片放入H2O2和NH4OH的混合溶液，控制温度在65～85℃，反应时间15～200s，去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；(4)将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200～300s；(5)将硅片放入常温的5wt%的HF溶液中，常温反应210s，去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；(6)将硅片放入常温的去离子水槽Ⅰ中，溢流清洗200～300s；(7)将硅片放入常温的去离子水槽Ⅱ中，再次溢流清洗200～300s；(8)取出硅片，采用甩干机甩干，甩干时间为300～400s。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苗丽燕，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33