氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。通过在硅片上设置第一氮化硅膜层之前对管式炉恒温，使硅片经过恒温步骤后硅片四周和中间的温度一致，保证了硅片四周和中间的氮化硅膜生长速率一致，改善了硅片边缘因温度较高生长速率过快，解决了硅片表面各处氮化硅膜的厚度和折射率不同引起颜色偏差的问题，降低了硅片等级，提高了硅片的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种氮化硅膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。
技术介绍
太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种具有广阔发展前途的能源。太阳能电池片的制作工艺一般有以下几个步骤化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、周边刻蚀、氮化硅膜沉积、丝网印刷、烧结。在氮化硅膜沉积步骤中，等离子增强化学气相沉积(PECVD)是制备氮化硅膜常用的方法。等离子增强型化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离进而在局部形成等离子体，因等离子化学活性很强，容易发生反应，容易在基片上沉积出所期望的薄膜。由于PECVD法沉积的氮化硅膜具有沉积温度低、沉积速度快、薄膜质量好、工艺简单易于工人操作等优点，所以被广泛应用于晶体硅太阳能电池产业中。根据采用的沉积设备不同，分为平板式PECVD沉积炉和管式PECVD沉积炉。相对于平板式PEC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向所述管式炉内通入氮气，并将所述管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在所述硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵学玲，范志东，李倩，李永超，王涛，解占壹，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：