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本发明公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以...
该专利属于英利能源（中国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英利能源（中国）有限公司授权不得商用。

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