一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于半导体技术领域，该多晶硅薄膜的制备方法包括以下步骤：（1）形成石墨烯层和非晶硅层，其中石墨烯层和非晶硅层相邻；（2）使非晶硅晶化形成多晶硅，得到多晶硅薄膜。通过该方法制得的多晶硅薄膜中的多晶硅具有无污染及缺陷密度低的优点，得到的多晶硅的晶粒大小均匀、排列有序且晶粒较大，进而具有较佳的表面平坦度。通过该方法制备的多晶硅薄膜内部的载流子的速率大大增加，并提升了多晶硅薄膜晶体管的元件表现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，具体涉及一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
多晶硅薄膜是集晶体硅和非晶硅材料优点于一体的新型功能材料，同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点，因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越弓I起人们的关注。多晶硅薄膜是由许多大小不等和晶面取向不同的小晶粒组成，晶粒尺寸一般在几十到几百纳米之间，大晶粒尺寸可达数微米。大晶粒的多晶硅薄膜有较高的迁移率，接近块状材料的迁移率，因此多晶硅薄膜其已被广泛应用于半导体器件的制作中，如显示工业用的多晶娃薄膜晶体管(TFT, Thin Film Transisitor),微电子机械系统,集成电路以及替代 SOI (Silicon on Insulator)材料等方面。其中在显不工业中，尤其是在AMOLED (ActiveMatrix Organic Light-emitting Device,有源矩阵有机发光器件)、TFT-IXD (TFT 液晶显示器)产品中，为了提高显示屏的性能，通常采用TFT组成像素驱动电路及其周边驱动电路，这些TFT大多采用多晶硅薄膜作为有源层，并且将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）形成石墨烯层和非晶硅层，其中石墨烯层和非晶硅层相邻；（2）使非晶硅晶化形成多晶硅，得到多晶硅薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙拓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：