【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺，更具体地说，本专利技术涉及一种。·
技术介绍
在当前半导体制造工艺中，炉管工艺使用炉管挡片对炉管内的气流进行阻挡分层并均衡炉管内温度分布，使气流中的反应气体与被加工硅片均匀接触，均匀受热，发生化学物理反应，淀积或生长薄膜。其中，多晶硅的淀积，使用低压化学气相淀积的炉管进行工艺，要用到的炉管挡片为硅/氮化硅结构，如图I所示即在硅衬底基片I上淀积一层50到200纳米的氮化硅层2。使用这种结构可以让挡片在回收使用时保护硅衬底基片不被酸性溶液腐蚀，延长挡片使用寿命。但是，淀积多晶硅的过程中，因为多晶硅通常作为栅极“金属-氧化物-半导体”结构的“金属”层参与导电，并覆盖在二氧化硅介质层上，因此，工艺中的产品片表面已生长好一层二氧化硅，与共同工艺的挡片表面材料不同。即，挡片表面为氮化硅，产品片表面为二氧化硅。因为不同材料对通入炉管中的反应气体有不同的吸附速度，就导致不同材料表面淀积反应物的速率不同，所以，在通入定量的反应气体后，同样时间内，淀积速率高的材料表面消耗的反应气体多，供低淀积速率材料表面消耗的反应气体变少，使之淀积的反应物膜厚受到影响...
【技术保护点】
一种炉管挡片结构，其特征在于包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任川，王智，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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