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炉管挡片结构及其制造方法技术
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文档序号:8162468
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本发明提供了一种炉管挡片结构及其制造方法。炉管挡片结构包括:硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构;并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层,...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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