碳化硅半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了包括欧姆电极的碳化硅半导体器件以及制造这种碳化硅半导体器件的方法，所述欧姆电极通过在不形成肖特基接触的情况下抑制碳沉积来实现与布线的粘附性的提高。具体地，在针对SiC半导体器件形成欧姆电极时，在SiC层(11)的一个主表面上形成由第一金属元素形成的第一金属层(12)。其间，在第一金属层的表面上形成由Si形成的Si层(13)，所述表面位于面对SiC层(11)的表面的相反侧上。由此形成的层压结构(10A)经受热处理。因此，可以在抑制电极的表面层上沉积碳原子以及在Si和SiC之间形成肖特基接触的同时得到包括具有与布线的良好粘附性的欧姆电极的碳化硅半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法，更具体来讲，涉及凭借其提高电极和布线之间的粘附性的碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体，正作为实现高频功率器件和耐热、防辐射器件的材料而引起注意。因为可以使用与由硅(Si)形成氧化物膜的方法相同的方法由碳化硅形成氧化物膜(SiO2),所以已对诸如MOSFET的碳化硅 半导体器件积极进行研究。另外，与Si的带隙和电介质击穿电场强度相比，SiC具有更宽的带隙和更大的电介质击穿电场强度。因此，例如，与采用Si的半导体器件的切换特性和击穿电压相比，采用SiC的半导体器件可以实现更优良的切换特性和更大的击穿电压。通常，在这种SiC半导体器件中，提供布线(焊盘)，以有助于从其衬底上形成的电极提取电信号。这种布线不仅用在SiC半导体器件中而且用在Si半导体器件中，以便平滑地与外部组件交换电信号。图35是示出常规SiC半导体器件中电极与布线之间的状态的示意性横截面图。如图35中所示，在SiC半导体器件99A中，SiC半导体衬底99具有上面提供有电极98的一个主表面。在SiC半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：玉祖秀人，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：