半导体器件的形成方法技术

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极结构，及位于所述栅极结构两侧的侧墙；形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区；去除部分侧墙，剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙，所述保留侧墙的厚度范围为5nm～30nm；在衬底表面、栅极结构表面和保留侧墙表面沉积金属层；对所述金属层进行退火，在所述衬底内和栅极结构内形成金属硅化物。本发明专利技术降低金属硅化物的损失，改善利用金属硅化物减小栅极和源/漏区间电阻的效果，提高半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
自对准硅化物技术是一种通过在栅极和源/漏区上形成金属硅化物层，从而减小栅极和源/漏区的电阻的工艺技术。广泛地应用硅化镍层和硅化钴层作为金属硅化物层。专利公开号为CN101432860A的中国专利申请中提供了一种将硅化镍层作为金属硅化物层的技术方案。 图I至图4为现有技术形成有自对准硅化物的半导体器件结构示意图，具体包括首先如图I所示，提供衬底001，所述衬底001上形成有栅极结构002及位于所述栅极结构002两侧衬底001内的源区和漏区，所述栅极结构002包括依次位于所述衬底001上的栅极氧化层021和栅极022，所述栅极结构002两侧还形成有侧墙030 ;继续参考图I，在所述衬底001及栅极结构002上形成金属层040，所述金属层040覆盖所述衬底001暴露出的表面和栅极结构002。如图2所示，对所述金属层040进行退火工艺，经过所述退火工艺，所述金属层040中的金属兀素与衬底001中的娃及栅极结构002顶部的娃反应,进而生成金属娃化物051。同时参考图2和图3,去除位于衬底001表面和栅极结构002顶部的未进行反应的金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极结构，及位于所述栅极结构两侧的侧墙；形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区；去除部分侧墙，剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙，所述保留侧墙的厚度范围为5nm～30nm；在衬底表面、栅极结构表面和保留侧墙表面沉积金属层；对所述金属层进行退火，在所述衬底内和栅极结构内形成金属硅化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟中，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：