晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法技术

一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法，首先采用磁控溅射法、电子束蒸发法、或丝网印刷法等技术方法在晶体硅表面制备一层铝硼膜层，其中硼含量为0.001wt%-5wt%，优选0.05wt%-1wt%；然后激光照射铝硼膜层使之熔化，同时其底下的硅也随之熔化，形成铝、硼、硅共熔体。当激光被切断电源或移开之后，该区域迅速冷却，硅从共熔体中析出开始结晶生长，部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中，从而实现晶体硅的铝硼共掺杂，剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜，并与其他未受激光照射的铝硼膜层相互接触形成电极。本方法与现有文献报道的方法相比具有稳定性高、工艺简单的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 属于半导体材料与器件
，特别是基于晶体硅半导体的电子器件
，涉及晶体硅中ー种采用激光技术实现铝硼两种元素共掺杂的方法及其相关电极的制备方法。
技术介绍
晶体硅是当今应用最广泛的半导体材料，在各种微电子器件(如MOS、MOSFET,MESFET等)、光电子器件(如发光二极管、太阳能电池、激光器、光探測器等)、以及功率电子器件等
具有重要地位。硅材料的技术エ艺非常成熟、产业链完整、成本相对较低，而且储量丰富，因此在未来仍将是最重要的半导体材料。不含杂质或杂质含量很低的硅半导体称为本征半导体，本征半导体载流子浓度低、电阻率高，其电性能受温度等因素影响很大，因此在制备电子器件时需要对其进行掺杂，掺杂的半导体常称为非本征半导体。当在本征硅半导体中掺入一定量的第三主族元素如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等杂质原子时，本征硅即成为P型半导体，其载流子主要是空穴，随着掺杂浓度的増大，空穴浓度迅速提高，电阻率快速降低。如果在本征硅半导体中掺入ー定量的第五主族元素如磷(P)、神(Al)、锑(Sb)等杂质原子时，本征硅即成为η型半导体，其载流子主要是自由电子，随着掺杂浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法，其特征是：在晶体硅表面制备铝硼膜层，该铝硼膜层提供掺杂铝源和硼源，铝硼膜层被激光照射，所照射的区域被熔化并形成铝、硼、硅共熔体；激光被切断电源或移开后，该共熔体迅速冷却，硅随即析出开始结晶生长，部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中，实现晶体硅的铝硼共掺杂，剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜，并与其它未受激光照射的铝硼膜层共同形成电极。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法，其特征是在晶体硅表面制备铝硼膜层，该铝硼膜层提供掺杂铝源和硼源，铝硼膜层被激光照射，所照射的区域被熔化并形成铝、硼、硅共熔体；激光被切断电源或移开后，该共熔体迅速冷却，硅随即析出开始结晶生长，部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中，实现晶体硅的铝硼共掺杂，剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜，并与其它未受激光照射的铝硼膜层共同形成电极。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜国平，陈楠，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：