金属硅化物形成方法技术

本发明专利技术提供了一种金属硅化物形成方法，在形成金属硅化物阻挡层之前在硅衬底上先沉积一层氟硅玻璃薄膜作为缓冲层，氟硅玻璃薄膜中的氟元素可以扩散入硅衬底中，氟元素的引入可抑制在生成金属硅化物初期时金属突然集中进入硅衬底中，并且可以固定已经扩散到硅衬底中的金属元素，进而减小缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及ー种金属硅化物的形成方法。
技术介绍
随着超大規模集成电路的迅速发展，器件的集成度越来越高，尺寸越来越小。当器件尺寸縮小至次微米量级时，会相应的产生许多问题，如金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管，由于减小尺寸，会导致MOS晶体管的栅电极和源扱/漏极区的表面电阻和接触电阻増加，使得MOS晶体管出现信号延迟。 为了解决减小器件尺寸带来的问题，一般采用金属硅化物エ艺，在器件大部分区域的有源区(表面为硅材料的区域)上沉积难熔金属钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)等，通过退火エ艺形成金属硅化物，但是也有部分区域的有源区是不能形成金属硅化物的，如高阻多晶硅区、隔离有源区等区域。因此，在制作金属硅化物之前，需要先在不能形成金属硅化物的区域形成金属娃化物阻挡结构(salicide block layer, SAB),利用金属娃化物阻挡结构不会与金属发生反应的特性，以防止在不能形成金属硅化物的区域形成金属硅化物。一般金属硅化物形成的方法如图I所示，包括如下步骤先在硅衬底上形成金属硅化物阻挡层，在金属硅化物阻挡层上形成与硅衬底所需生成硅化物的预定区域对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属硅化物形成方法，包括：在硅衬底上沉积一层氟硅玻璃薄膜作为缓冲层；在缓冲层上沉积金属硅化物阻挡层；在金属硅化物阻挡层上形成与硅衬底所需生成硅化物的预定区域对应的图案化光刻胶；通过所述图案化光刻胶作为掩膜进行刻蚀，暴露出硅衬底上需要生成金属硅化物的预定区域并去除光刻胶；在刻蚀后的硅衬底结构上沉积一层金属层，并进行第一次退火处理；通过刻蚀去除未与硅衬底反应的金属后进行第二次退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种金属硅化物形成方法，包括 在硅衬底上沉积一层氟硅玻璃薄膜作为缓冲层； 在缓冲层上沉积金属硅化物阻挡层； 在金属硅化物阻挡层上形成与硅衬底所需生成硅化物的预定区域对应的图案化光刻胶； 通过所述图案化光刻胶作为掩膜进行刻蚀，暴露出硅衬底上需要生成金属硅化物的预定区域并去除光刻胶； 在刻蚀后的硅衬底结构上沉积一层金属层，并进行第一次退火处理； 通过刻蚀去除未与硅衬底反应的金属后进行第二次退火处理。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，在生成氟硅玻璃薄膜缓冲层后对硅衬底结构进行热处理的步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度为200-500摄氏度。4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，在硅衬底上沉积氟硅玻璃薄膜前利用氢氟酸浸泡或通过氟化氮和氨气进行等离子刻蚀去除硅表面的氧化层的步骤。5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，荆学珍，平延磊，肖海波，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：