一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法技术

本发明专利技术公开了一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法。本发明专利技术首先采用氢氟酸乙醇溶液中电化学刻蚀的方法在N型单晶硅表面制备多孔硅覆盖的倒金字塔结构界面，然后采用碱性溶液浸泡的方法去掉多孔硅层获得倒金字塔结构表面。获得的金字塔结构是由四个{111}晶面构成的倒金字塔结构，其尺寸在0.5-15um范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及一种以电化学法制备倒金字塔结构单晶硅表面的快速、有效、成本低廉的方法。
技术介绍
光刻技术是一种在光掩膜的帮助下通过曝光、显影在光刻胶上构建几何图形，然后通过刻蚀将这种几何图形转移到基底上的一种技术。这种技术常用于半导体集成电路和微电子机械系统，常见的有:紫外光光刻技术，X光光刻技术，电子束光刻技术等等。随着科技的进步这种技术的分辨率也在不断提高，微米、纳米尺度的各种复杂图案都可以通过这种技术实现。比如，远紫外光刻技术是一种曝光波长达到ll_13nm的紫外光光刻技术，它的临界制备尺寸在70nm左右。但是，这种技术所用的各种光源、光掩膜、光阻胶等部件或者材料都比较昂贵；而且需要先在光阻胶上制备各种图案，其中包括曝光和显影两个过程，然后通过化学、等离子体刻蚀转移到基底表面，这个过程比较复杂、时间消耗严重。因此，光刻技术存在成本高、过程复杂、效率低的缺点。单晶硅表面倒金字塔结构在太阳能电池减返、微流体器件、生物芯片、仿生功能表面等方面应用广泛。比如在太阳能电池中，直射到电池板上的光线经过金字塔表面的两次反射共吸收约89%的能量，反射11%左右的能量。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法，其特征在于该方法将N型100单晶硅片在丙酮中超声清洗，然后固定到一个正方体形聚四氟乙烯，刻蚀槽的一侧，槽上有孔，单面刻蚀，正极接硅片，负极接石墨片，在紫外灯背光照射条件下，氢氟酸乙醇溶液中进行电化学刻蚀，将电化学刻蚀后的硅片从PTFE刻蚀槽取下，在室温条件下放入NaOH溶液中除掉多孔层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王富国，张俊彦，
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62