【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，更具体的，本专利技术涉及一种。
技术介绍
在半导体芯片制造过程中，为了提高器件的性能，需要减少半导体衬底的导电区域与金属互连材料的接触电阻。例如，对于金属氧化物半导体(MOS)晶体管而言，其源极、 漏极以及栅极往往会采用具备较低电阻率的金属硅化物来降低接触电阻。在MOS晶体管的制作工艺中，通常采用自对准方式形成的金属硅化物。为了形成所述金属硅化物，首先在包含有源区、漏区以及栅极的半导体衬底上形成介电层，之后，将需要形成自对准的金属硅化物区域的介电层刻蚀去除，露出用来形成金属硅化物的区域； 随后，在半导体衬底上继续沉积金属材料(例如钛、钴、镍等)及氮化钛，所述氮化钛作为后续退火处理中防止金属材料氧化的的保护层；接着，通过快速退火处理的方式将所述金属材料与半导体衬底中的硅熔合，形成金属硅化物。对于所述金属材料，只有靠近半导体衬底表面的部分金属材料会与硅发生共熔反应而消耗，因此，需要将未反应的金属材料以及氮化钛移除，以便后续的导电插塞等互连结构的制作。申请号为200510(^6357. 8的中国专利申请提供了一种硅化钴薄膜的制备方法， ...
【技术保护点】
１．一种金属硅化物的清洗方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括硅表面区及介电层表面区，所述硅表面区上自下而上依次形成有金属硅化物、金属层及保护层，所述介电层表面区上依次形成有介电层、金属层及保护层；采用酸性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗；采用碱性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨兆宇，孟昭生，李健，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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