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一种金属硅化物的清洗方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括硅表面区及介电层表面区，所述硅表面区上自下而上依次形成有金属硅化物、金属层及保护层，所述介电层表面区上依次形成有介电层、金属层及保护层；采用酸性氧化溶液对所述半导体衬底进行清...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。