半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，包括第一区和第二区；在待刻蚀层上形成第一核心材料层和第一开口，第一开口暴露出待刻蚀层第二区表面；在第一开口内形成硬掩膜层；在第一核心材料层上形成第一核心层和第二核心层；在第一核心层侧壁形成第一侧墙；在第二核心层侧壁形成第二侧墙；去除第一核心层和第二核心层，在第一区上形成分立的第一侧墙，在第二区上形成分立的第二侧墙；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀第一核心材料层，在第一区上形成分立的第三核心层，在第二区上形成分立的第四核心层，硬掩膜层位于第四核心层之间，硬掩膜层在第一方向上的尺寸大于第四核心层在第一方向上的尺寸。所述方法形成的半导体结构尺寸均匀度较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其设计一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体工业的发展，半导体技术节点不断减小，鳍式场效应晶体管(finfet)鳍部结构的尺寸和间距变得越来越小，这使得相关的工艺更加严格。

2、为了突破光刻技术节点的限制，自对准双重图形技术(sadp)和自对准四重图形技术(saqp)在鳍式场效应晶体管技术中得到了广泛的应用。

3、现有的自对准双重图形技术(sadp)和自对准四重图形技术(saqp)形成鳍式场效应晶体管的过程还有待改善。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善自对准双重图形技术(sadp)和自对准四重图形技术(saqp)形成鳍式场效应晶体管的过程。

2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在待刻蚀层上形成第一核心材料层和位于第一核心材料层内的第一开口，所述第一开口暴露出所述待刻蚀层第二区表面；在第一开口内形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第三核心层侧壁形成第三侧墙；在所述第四核心层侧壁形成第四侧墙，在所述硬掩膜层侧壁形成第五侧墙；形成第三侧墙、第四侧墙和第五侧墙之后，去除所述第三核心层、第四核心层和硬掩膜层，在第一区上形成分立的第三侧墙，在第二区上形成分立的第四侧墙和分立的第五侧墙，所述第五侧墙之间的间距大于所述第四侧墙之间的间距；以所述第三侧墙、第四侧墙和第五侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括：衬底；位于衬底...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第三核心层侧壁形成第三侧墙；在所述第四核心层侧壁形成第四侧墙，在所述硬掩膜层侧壁形成第五侧墙；形成第三侧墙、第四侧墙和第五侧墙之后，去除所述第三核心层、第四核心层和硬掩膜层，在第一区上形成分立的第三侧墙，在第二区上形成分立的第四侧墙和分立的第五侧墙，所述第五侧墙之间的间距大于所述第四侧墙之间的间距；以所述第三侧墙、第四侧墙和第五侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括：衬底；位于衬底上的鳍部结构材料层；位于鳍部结构材料上的过渡结构；以所述第三侧墙为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在衬底第一区上形成第一鳍部结构；以所述第四侧墙为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在衬底第二区上形成第二鳍部结构；以所述第五侧墙为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在衬底第二区上形成第三鳍部结构，相邻所述第三鳍部结构之间的间距大于相邻第二鳍部结构之间的间距，且相邻所述第三鳍部结构之间的间距大于相邻第一鳍部结构之间的间距。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一核心材料层上形成分立的第一核心层和分立的第二核心层之前，还包括：在第一核心材料层上和硬掩膜层上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层和所述硬掩膜层同时形成。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层和所述硬掩膜层的材料与第一核心材料层的材料不同，所述刻蚀停止层和所述硬掩膜层的材料与第一核心层和第二核心层的材料不同。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层和所述硬掩膜层的材料包括氮化硅、氧化硅或碳化硅。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心材料层的材料包括硅；所述第一核心层和第二核心层的材料包括硅。

8.如权利要求4所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵振阳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：