【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构以及封装方法。
技术介绍
1、对于单片芯片的尺寸，常规的芯片制造技术正在被推向它们的极限。然而，应用却渴望使用最新技术实现大尺寸集成电路的能力，芯片之间实现高速和小体积互连具有较大的挑战。
2、目前的一种解决方案是使用嵌入在硅衬底中的硅桥(si bridge)芯片的较小的集成电路，以通过硅桥芯片实现芯片与芯片之间的互连，进而提供异质芯片封装。
3、但是，目前封装结构的结构较为复杂，且芯片之间的集成度仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构以及封装方法，提高了封装结构的集成度。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种封装结构，包括：基板，包括键合面；器件芯片，包括相对的第一面和第二面，第一面键合于键合面上并与基板电连接；导电柱，键合于器件芯片侧部的键合面上，并与基板电连接；第一再布线结构，位于器件芯片的第二面和导电柱与键合面相背的一面上，第一再布线结构与器件芯片的第二面...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一面为芯片正面，所述第二面为芯片背面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：封装层，位于所述第一再布线结构上且覆盖器件芯片和导电柱侧壁。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第一导电凸块，位于所述器件芯片与第一再布线结构之间，并电连接所述器件芯片与第一再布线结构。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第一密封层，填充于相邻所述第一导电凸块之间的间隙内并...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一面为芯片正面，所述第二面为芯片背面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：封装层，位于所述第一再布线结构上且覆盖器件芯片和导电柱侧壁。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第一导电凸块，位于所述器件芯片与第一再布线结构之间，并电连接所述器件芯片与第一再布线结构。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第一密封层，填充于相邻所述第一导电凸块之间的间隙内并包覆所述第一导电凸块。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二导电凸块，位于所述器件芯片与所述基板之间、以及位于导电柱和基板之间，并电连接所述器件芯片与所述基板、以及电连接导电柱和基板。
7.如权利要求1或6所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二再布线结构，位于所述器件芯片的第一面、以及导电柱朝向基板的一面上，第二再布线结构与器件芯片、以及与导电柱之间电连接。
8.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二密封层，填充于相邻所述第二导电凸块之间的间隙内且包覆所述第二导电凸块。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第三导电凸块，位于所述基板背向所述键合面一侧的表面上，所述第三导电凸块用于实现封装结构与外部电路之间的电连接。
10.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一再布线结构包括一层或多层的第一再布线层；所述第二再布线结构包括一层或多层的第二再布线层。
11.一种封装方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，提供所述器件芯片的步骤中，所述第一面为芯片正面，所述第二面为芯片背面。
13.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在所述第一区域的第一再布线结构上形成导电柱，以及将所述器件芯片的第二面键合于所述第二区域的第一再布线结构上之后，且在将所述器件芯片的第一面以及导电柱键合于所述键合面上之前，在所述第一再布线结构上形成覆盖器件芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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