【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅膜的形成方法及其形成装置。
技术介绍
半导体装置等的制造エ艺中存在如下エ序在硅基板上的层间绝缘膜上形成凹槽、孔形状的槽(接触孔)，填埋例如掺杂杂质的多晶硅膜和非晶硅膜等硅膜(Si膜)形成电极的エ序。作为这样的エ序，例如，在专利文献I中公开了在硅基板上的层间绝缘膜形成接触孔，用CVD (Chemical Vapor Deposition)法形成多晶娃膜,在对该多晶娃膜稍微进行蚀刻后，再次形成多晶硅的方法。专利文献I :日本特开平10-321556号公报
技术实现思路
然而，在这样的Si膜的形成方法中，如果使用掺杂杂质的多晶硅膜，例如掺杂P的Si膜作为Si膜，则通过蚀刻，其表面粗糙度容易变差。考虑这是因从掺杂P的Si膜中的P位进行蚀刻所导致的。这样，如果在表面粗糙度变差的掺杂P的Si膜上进ー步形成掺杂P的Si膜，则容易产生空洞、空隙。本专利技术鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种能够抑制空洞、空隙的产生的硅膜的形成方法及其形成装置。为了达成上述目的，本专利技术的第I观点的硅膜的形成方法，其特征在于，在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜，具备第I成膜エ...
【技术保护点】
一种硅膜的形成方法，其特征在于，在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜，具备：第1成膜工序，以填埋所述被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜，蚀刻工序，对在所述第1成膜工序中被形成的非掺杂硅膜进行蚀刻，掺杂工序，对在所述蚀刻工序中被蚀刻的非掺杂硅膜掺杂杂质，第2成膜工序，以填埋在所述掺杂工序中被掺杂的硅膜的方式形成掺杂有杂质的硅膜。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柿本明修，高木聪，长谷部一秀，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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