多栅器件的形成方法技术

一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。本发明专利技术有利于提高介质层的全局平坦度和局部平坦度，改善器件的一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体工艺技术的不断发展，在45nm和32nm工艺节点下,后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，来获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种常见的多栅器 件，图I示出了现有技术的一种鳍式场效应晶体管的立体结构示意图。如图I所示，包括半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有突出的鳍部101，鳍部101 —般是通过对半导体衬底10刻蚀后得到的；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部101的侧壁的一部分；栅极结构12，横跨在所述鳍部101上，覆盖所述鳍部101的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。对于FinFET，鳍部101的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构12相接触的部分都成为沟道区，即具有多个栅，有利于增大驱动电流，改善器件性能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多栅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，徐秋霞，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：