多栅器件的形成方法技术

一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。本发明专利技术能够以简单的工艺实现鳍部之间的隔离，其成本较低，便于大规模工业应用。

【技术实现步骤摘要】
多栅器件的形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种多栅器件的形成方法。
技术介绍
随着半导体工艺技术的不断发展，在45nm和32nm工艺节点下，后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，来获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺，常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种常见的多栅器件，图1示出了现有技术的一种鳍式场效应晶体管的立体结构示意图。如图1所示，包括：半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有凸出的鳍部101，鳍部101一般是通过对半导体衬底10刻蚀后得到的；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部101的侧壁的一部分；栅极结构12，横跨在所述鳍部101上，覆盖所述鳍部101的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。对于FinFET，鳍部101的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构12相接触的部分都成为沟道区，即具有多个栅，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多栅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种多栅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成镂空的空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。2.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙包括：在所述鳍部的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，使用各向同性刻蚀对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙。3.根据权利要求1所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述凸出的鳍部是采用各向异性刻蚀形成的；所述对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙包括：以所述各向异性刻蚀过程中形成的反应聚合物为掩膜，使用各向同性刻蚀对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙。4.根据权利要求3所述的多栅器件的形成方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀的反应气体包括Cl2、HBr、He和O2,其中Cl2的流量为90至110sccm，HBr的流量为50至70sccm，刻蚀过程中的反应压强为3至30mtorr，RF刻蚀功率为300至6...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，徐秋霞，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：