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一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述介质层进行刻蚀，暴露...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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