一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一有机材料层，覆盖所述凹槽以及所述半导体衬底上的栅极结构；对所述有机材料层进行回蚀刻，以在所述凹槽的底部残留部分有机材料层；对所述凹槽进行各向同性的干法蚀刻；对所述凹槽进行湿法蚀刻，去除残留的所述有机材料层以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中外延生长锗硅层。根据本发明专利技术，可以在相对于半导体衬底的水平方向上获得最大限度的硅蚀刻量，同时实现较小的凹槽深度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造エ艺，具体而言涉及ー种形成Σ状锗硅层的制作方法。
技术介绍
对于深亚微米半导体技术而言，Σ状锗硅层可以显著提高PMOS的性能。在形成Σ状锗硅层的エ艺过程中，采用干法蚀刻于PMOS的源/漏区形成凹槽之后，采用各向异性的湿法蚀刻使所述凹槽变为Σ状。在各向异性的湿法蚀刻过程中，由于相对于半导体衬底垂直方向的蚀刻速率远大于水平方向的蚀刻速率，从而导致蚀刻结束后所述凹槽的底部呈尖峰状；若采用各向同性的蚀刻エ艺，在扩大相对于半导体衬底水平方向的硅蚀刻量的同时，垂直方向的硅蚀刻量也相应增加，提高了所述凹槽的深度。因此，需要开发ー种Σ状锗硅层的形成方法，在扩大相对于半导体衬底水平方向 的硅蚀刻量的同吋，不改变所述凹槽的深度。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供， 包括提供ー个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一有机材料层，覆盖所述凹槽以及所述半导体衬底上的栅极结构；对所述有机材料层进行回蚀刻，以在所述凹槽的底部残留部分有机材料层；对所述凹槽进行各向同性的蚀刻；对所述凹槽进行蚀刻，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一有机材料层，覆盖所述凹槽以及所述半导体衬底上的栅极结构；对所述有机材料层进行回蚀刻，以在所述凹槽的底部残留部分有机材料层；对所述凹槽进行各向同性的蚀刻；对所述凹槽进行蚀刻，去除残留的所述有机材料层以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中外延生长锗硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，隋运奇，李超伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：