一种半导体场效应晶体管的制备方法技术

本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法，包括：形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；金属化。本发明专利技术采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种体硅鳍型场效应晶体管的制备方法。
技术介绍
随着集成电路产业按照Moore定律持续向前发展，CMOS器件的特征尺寸持续缩小，平面体硅CMOS结构器件遇到了严峻的挑战。为了克服这些问题，各种新结构器件应运而生。在众多新结构器件中，鳍型场效应晶体管(FinFET)被认为是最有可能替代平面体硅CMOS器件的新结构器件之一，成为国际研究的热点。FinFET结构器件初期主要制备在SOI衬底上，工艺较体硅衬底而言较为简单。但是SOI FinFET存在制备成本高，散热性差，有浮体效应，与CMOS工艺兼容性差等缺点。为了克服SOI FinFET存在的问题，研究人员开始研究采用体硅衬底来制备FinFET器件，即Bulk FinFET0基于Bulk FinFET的DRAM、SRAM等产品已经取得了应用。但是一般的BulkFinFET结构器件较SOI FinFET器件而言仍然具有以下缺点SCE效应抑制效果不理想；沟道底部的鳍片内仍然会形成泄漏电流路径造成泄漏电流较大；杂质剖面控制困难。为了克服以上问题，推动FinFET结构器件尽快获得应用，需要进一步开展这方面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体场效应晶体管的制备方法，包括：形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；金属化。

【技术特征摘要】
1.一种半导体场效应晶体管的制备方法，包括 形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底； 在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片； 在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构； 在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构； 金属化。2.根据权利要求I所述的方法，其中，形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上 硅(SOI)结构的半导体衬底的步骤包括 在半导体衬底上形成介质层； 光刻、刻蚀所述介质层形成介质层岛； 采用横向超速外延(ELO)技术外延并化学机械抛光(CMP)形成局部绝缘体上硅(SOI)结构半导体衬底。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介质层包括Si02、TE0S、LT0或Si3N4,厚度为20_100nm。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述采用横向超速外延(ELO)技术外延并化学机械抛光(CMP)形成局部绝缘体上硅(SOI)半导体衬底步骤中，所述局部绝缘体上硅的厚度为 50_200nm。5.根据权利要求I所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周华杰，徐秋霞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：