一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底为碳化硅、体硅、掺杂或未掺杂的硅玻璃中的一种或其组合；石墨烯层或碳纳米管层，所述石墨烯层或碳纳米管层形成于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构形成于所述石墨烯层或碳纳米管层上，且暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层；金属接触层，所述金属接触层环绕所述栅极结构，且位于暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：
国别省市：