【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，MOS晶体管的特征尺寸也越来越小。在MOS晶体管特征尺寸不断缩小情况下，为了降低MOS晶体管栅极结构的寄生电容，提高器件速度，由高K栅介电层与金属栅电极层组成的金属栅极结构被引入到MOS晶体管中。 为避免金属栅极的金属材料对晶体管其他结构的影响，所述金属栅极与高K栅介 电层的栅极叠层结构通常采用栅极替代(replacement gate)工艺制作。在该工艺中，在源漏区注入前，在待形成的栅极位置首先形成由多晶硅构成的牺牲栅，以所述牺牲栅为掩膜形成位于所述牺牲栅两侧的源、漏区。而在形成源漏区之后，会移除所述牺牲栅并在牺牲栅的位置形成栅极开口，之后，再在所述栅极开口中依次填充高K栅介电层与金属栅极。由于金属栅极在源漏区注入完成后再进行制作，这使得后续工艺的数量得以减少，避免了金属材料不适于进行高温处理的问题。在实际应用中，PMOS晶体管与NMOS晶体管的器件特性并不相同，因此其栅极结构需要基于不同的阈值电压需求进行设计。因此，在采用所述栅极结构替代工艺制作CMOS晶体管时，需要分别形成PM...
【技术保护点】
一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有开口，所述开口暴露半导体衬底，所述开口两侧形成有源、漏区；其特征在于，还包括：在所述开口底部形成半导体填充层；形成填充满所述开口的栅极结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。