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一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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