【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供。
技术介绍
少数载流子寿命是半导体硅晶体材料的一项重要参数，它与晶体硅太阳能电池的光电转换效率有着直接关系。因此测试晶体硅体内的少数载流子寿命是在生产之前对硅原材料进行质量检测和在研究过程中进行性能分析的重要手段，而目前主要利用非稳态光电导衰减技术，简称PCD技术，来测试少数载流子寿命，其结果实际体现的是整个样品的综合寿命，它是发生在硅片表面、体内的所有复合叠加的净结果，从而不能完全体现硅片本体的质量。扩散长度(L)是少数载流子寿命(τ )延伸出来的概念，它与少数载流子寿命存在着L =、3 τ的关系，其中D是少数载流子寿命的扩散系数，对于同一块半导体材料，其载流■5子的扩散系数一般不变。因此，通常情况下影响半导体少数载流子扩散长度的物理机制与少数载流子寿命的机制完全相同。目前，测试少数载流子扩散长度最常用的方法是表面光电压法，简称SPV法，这是一种稳态方法，与时间过程无关，从而避免了非稳态测试中表面复合对结果的影响，测试结果更能体现材料体的质量。SemiLab PV2000设备利用表面光电压测试原理测量硅片的扩散长度从而达到表征硅片质量的目的。...
【技术保护点】
１．一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步、漂洗：将原生硅片浸入由质量百分比为４７％～４９％的氢氟酸，６５％～６８％的硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中漂洗，时间为１ｍｉｎ～５ｍｉｎ，酸性漂洗液配比为Ｖ氢氟酸∶Ｖ硝酸∶Ｖ去离子水＝（１～１．５）∶（２～４．５）∶（１．７～３）；第二步、清洗：将漂洗后的硅片用去离子水清洗，时间为２ｍｉｎ～５ｍｉｎ；第三步、烘干：将清洗过的硅片放入烘干炉烘干，时间为８ｍｉｎ～１０ｍｉｎ；第四步、沉积：将烘干后的硅片在等离子体气相化学沉积设备中沉积７ｍｉｎ～１０ｍｉｎ，气源为硅烷和氮气混合物，硅片上氮化硅气体薄膜厚度...
【技术特征摘要】
1.一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，其特征在于包括如下步骤第一步、漂洗将原生硅片浸入由质量百分比为47% 49%的氢氟酸，65% 68%的硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中漂洗，时间为Imin 5min，酸性漂洗液配比为Vse 酸V 硝酸V 去离子水=(1 1· 5) (2 ~ 4. 5) (1. 7 ~ 3)；第二步、清洗将漂洗后的硅片用去离子水清洗，时间为2min 5min ； 第三步、烘干将清洗过的硅片放入烘干炉烘干，时间为8min IOmin ； 第四步、沉...
【专利技术属性】
技术研发人员：张驰，陈雪，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。