一种高温低压的硅片扩散方法技术

本发明专利技术公开了一种高温低压的硅片扩散方法，将制绒后的硅片放入扩散炉中；扩散炉中的压强保持在0.001~0.5大气压条件下依次进行第一沉积，第一推进，第二沉积，第二推进，第三沉积，第三推进，得到均匀性好的含PN结硅片。采用本发明专利技术，可提高硅片间方阻的稳定性和片内方阻均匀性，降低生产成本，加快生产效率，同时提高电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及。
技术介绍
太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能并利用光生伏打效应把光能转换成电 能的器件，当太阳光照在半导体P-N结（P-N Junction)上，形成新的空穴-电子对（V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就 形成电流。 晶硅太阳能电池的制造工艺有6道工序，分别为制绒，扩散，去磷硅玻璃和背结， 镀膜，丝网印刷，烧结。其中扩散工序是在硅片正面形成电池的核心部件PN结。在太阳光 的照射下，PN结两侧形成电势差，接通电路后就形成电流。 目前业界采用的是常压管式扩散方式，硅片在常压高温的环境中与氧气和三氯氧 磷气体发生反应，生成的单质磷在高温下向硅片内部扩散，形成薄的N型硅层，进而形成PN 结。然而常压管式扩散方式，硅片方阻的稳定性和片内均匀性差，影响太阳能电池光电转换 效率的提高。大规模量产中，电池的光电转换效率分布过宽，低效电池的分布比例过高。 现有技术中，中国专利CN104409339A公开一种硅片的P扩散方法，采用三步沉积 推进扩散工艺，使得到的包含有PN结的硅片方阻均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将制绒后的硅片放入扩散炉中；（2）抽真空使扩散炉中的压强保持在0.001~0.5大气压；（3）升温至800~850℃，恒温稳定1~3min；（4）在POCl3、N2和O2混合气体的氛围中，将硅片在沉积温度800~850℃的条件下进行第一沉积，沉积4~6min；（5）在N2和O2混合气体的氛围中，升温至810~860℃，将第一沉积后的硅片进行第一推进，推进3~5min；（6）在POCl3、N2和O2混合气体的氛围中，将第一推进后的硅片在沉积温度810~860℃的条件下进行第二沉积，沉积3~5min；（7）在N2和O2混合气体的氛围中，升...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，秦崇德，石强，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44