【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片PN扩散积层用存放工装，具体涉及一种硅片PN扩散用碳化硅舟。
技术介绍
高压二极芯片核心是PN结，它是由原始单晶片两面分别涂上P源、N源，然后将若干片涂源后的硅片置于专用工装上夹紧进行积层，再放入高温扩散炉中进行扩散，扩散温度一般在1250°C以上，时间超过40H，因此对积层用工装有很高的要求。目前一般硅片PN扩散用多晶硅舟，每次使用前必须用KOH溶液进行洗净，多晶硅不耐碱腐蚀，多次清冼后变形、寿命短，且对积层质量(不易积紧，表面杂质源挥发)造成影响，从而使扩散后参数变差，最终影响制品良率。
技术实现思路
、 为了解决上述问题，本专利技术提出了一种硅片PN扩散用碳化硅舟，设计简单，使用方便，是一种待扩散硅片积层用工装，纯度高，硬度大，耐碱腐蚀，使用寿命长。为了达到上述专利技术目的，本专利技术提出了以下的技术方案: 一种硅片PN扩散用碳化硅舟，它包括舟体、圆形隔板、圆形隔块，舟体是长方体状，舟体中间开有一个长方形孔，长方形孔内两侧对应开有若干卡槽，长方形孔两侧卡槽之间的舟体设计成坡面，圆形隔板装在卡槽内，最两端圆形隔板之间装有圆形隔...
【技术保护点】
一种硅片PN扩散用碳化硅舟，它包括舟体、圆形隔板、圆形隔块，其特征是舟体是长方体状，舟体中间开有一个长方形孔，长方形孔内两侧对应开有若干卡槽，长方形孔两侧卡槽之间的舟体设计成坡面，圆形隔板装在卡槽内，最两端圆形隔板之间装有圆形隔块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈许平，
申请(专利权)人：南通皋鑫电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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