一种提高光利用率的多晶硅片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高光利用率的多晶硅片结构，所述锥形凸起块的外侧连接有透明导电氧化层，所述透明导电氧化层的右端连接有第一集电极，所述第一集电极贯穿于保护层的右侧，所述保护层的内侧上部设有凸起块，所述钢化玻璃的顶部设有均匀分布的圆形凸起块，所述P型多晶硅片的左侧连接有第二集电极，所述第二集电极贯穿于保护层的左侧。该多晶硅结构通过在钢化玻璃的外表面设置圆形凸起块，使得阳光被聚集起来并照射于锥形凸起块的表面，而后光在凹槽的内部不断折射和吸收，从而提高阳光的利用率，该结构减去了传统多晶硅片所使用的EVA粘结膜，免去了因EVA粘结膜变黄而影响多晶硅光利用率的烦恼。

Polycrystalline silicon sheet structure for improving light utilization ratio

The utility model discloses a polysilicon film structure improve light utilization rate, the outer conical convex block is connected with a transparent conductive oxide layer, the transparent conductive oxide layer is connected to the right end of the first collector, the first collector runs through the protective layer on the right side of the protective layer of the inner side of the upper part is provided with a bulge block, the top of the toughened glass is provided with a circular convex uniform distribution, the left of the P type silicon wafer is connected with second collector, the collector second runs through the protective layer on the left side. The polysilicon structure through the circular convex block is arranged on the outer surface of the toughened glass, the surface of the sun was gathered and irradiated on the conical convex block, and the light is arranged on the internal time of refraction and absorption, so as to improve the utilization rate of the sun, minus the structure used in the traditional polycrystalline silicon EVA adhesive film, eliminates the because of EVA adhesive film yellowing effect of polysilicon light utilization troubles.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅
，具体为一种提高光利用率的多晶硅片结构。
技术介绍
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。随着科技的发展，太阳能光伏产业和半导体工业的发展也越来越迅猛。作为太阳能光伏产业以及半导体工业主要的原料的多晶硅，其工业需求也是越来越大。在太阳能多晶硅组件中，EVA用来粘结固定钢化玻璃和发电主体，透明EVA材质的优劣直接影响到组件的寿命，暴露在空气中的EVA易老化发黄，从而影响组件的透光率，从而影响组件的发电质量。除了EVA本身的质量外，组件厂家的层压工艺影响也是非常大的，如EVA胶连度不达标，EVA与钢化玻璃、背板粘接强度不够，都会引起EVA提早老化，影响组件寿命，从而影响多晶硅片对光的利用率。为此，提出一种提高光利用率的多晶硅片结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高光利用率的多晶硅片结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高光利用率的多晶硅片结构，包括本体，所述本体的外侧分别设有细栏栅和粗栏栅，所述细栏栅和粗栏栅垂直相交，所述本体包括保护层、钢化玻璃、P型多晶硅片和N型多晶硅片，所述钢化玻璃、P型多晶硅片和N型多晶硅片均位于保护层的内侧，所述P型多晶硅片的顶端和N型多晶硅片的底端之间设有导通层，所述N型多晶硅片的顶部设有锥形凸起块，所述锥形凸起块的外侧表面设有凹槽，所述锥形凸起块的外侧连接有透明导电氧化层，所述透明导电氧化层的右端连接有第一集电极，所述第一集电极贯穿于保护层的右侧，所述保护层的内侧上部设有凸起块，所述钢化玻璃的外侧设有卡槽，所述钢化玻璃的顶部设有均匀分布的圆形凸起块，所述P型多晶硅片的左侧连接有第二集电极，所述第二集电极贯穿于保护层的左侧。优选的，所述凸起块插入于卡槽的内腔，且凸起块的外侧和卡槽的外侧之间设有密封胶。优选的，所述凹槽均匀分布于锥形凸起块的外侧，且凹槽的数量不少于3个。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该多晶硅结构通过在钢化玻璃的外表面设置圆形凸起块，使得阳光被聚集起来并照射于锥形凸起块的表面，而后光在凹槽的内部不断折射和吸收，从而提高阳光的利用率，该结构减去了传统多晶硅片所使用的EVA粘结膜，免去了因EVA粘结膜变黄而影响多晶硅光利用率的烦恼。附图说明图1为本技术剖面结构示意图；图2为本技术多晶硅片结构示意图。图中：1本体、2保护层、3P型多晶硅片、4N型多晶硅片、5导通层、6锥形凸起块、7凹槽、8透明导电氧化层、9钢化玻璃、10圆形凸起块、11卡槽、12凸起块、13第一集电极、14第二集电极、15细栏栅、16粗栏栅。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种提高光利用率的多晶硅片结构，包括本体1，所述本体1的外侧分别设有细栏栅15和粗栏栅16，所述细栏栅15和粗栏栅16垂直相交，所述本体1包括保护层2、钢化玻璃9、P型多晶硅片3和N型多晶硅片4，所述钢化玻璃9、P型多晶硅片3和N型多晶硅片4均位于保护层2的内侧，所述P型多晶硅片3的顶端和N型多晶硅片4的底端之间设有导通层5，所述N型多晶硅片4的顶部设有锥形凸起块6，所述锥形凸起块6的外侧表面设有凹槽7，所述锥形凸起块6的外侧连接有透明导电氧化层8，所述透明导电氧化层8的右端连接有第一集电极13，所述第一集电极13贯穿于保护层2的右侧，所述保护层2的内侧上部设有凸起块12，所述钢化玻璃9的外侧设有卡槽11，所述钢化玻璃9的顶部设有均匀分布的圆形凸起块10，所述P型多晶硅片3的左侧连接有第二集电极14，所述第二集电极14贯穿于保护层2的左侧。进一步的，所述凸起块12插入于卡槽11的内腔，且凸起块12的外侧和卡槽11的外侧之间设有密封胶，使得钢化玻璃9的固定更稳定，密封效果更好。进一步的，所述凹槽7均匀分布于锥形凸起块6的外侧，且凹槽7的数量不少于3个，可以提高光的利用率。具体的，通过细栏栅15和粗栏栅16将本体1进行隔离，通过第一集电极13和第二集电极14将多个本体1进行连接，当阳光照射时，圆形凸起块10可以将阳光进行聚集并通过钢化玻璃9照射于锥形凸起块6的外侧，此时，阳光会照射进凹槽7中，阳光在凹槽7中会不断折射，而后将反射出的光照射于相邻的锥形凸起块6的表面，如此反复循环照射吸收，从而提高多晶硅片的光利用率，钢化玻璃9和保护层2均用于保护P型多晶硅片3和N型多晶硅片4不被破坏。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高光利用率的多晶硅片结构，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）的外侧分别设有细栏栅（15）和粗栏栅（16），所述细栏栅（15）和粗栏栅（16）垂直相交，所述本体（1）包括保护层（2）、钢化玻璃（9）、P型多晶硅片（3）和N型多晶硅片（4），所述钢化玻璃（9）、P型多晶硅片（3）和N型多晶硅片（4）均位于保护层（2）的内侧，所述P型多晶硅片（3）的顶端和N型多晶硅片（4）的底端之间设有导通层（5），所述N型多晶硅片（4）的顶部设有锥形凸起块（6），所述锥形凸起块（6）的外侧表面设有凹槽（7），所述锥形凸起块（6）的外侧连接有透明导电氧化层（8），所述透明导电氧化层（8）的右端连接有第一集电极（13），所述第一集电极（13）贯穿于保护层（2）的右侧，所述保护层（2）的内侧上部设有凸起块（12），所述钢化玻璃（9）的外侧设有卡槽（11），所述钢化玻璃（9）的顶部设有均匀分布的圆形凸起块（10），所述P型多晶硅片（3）的左侧连接有第二集电极（14），所述第二集电极（14）贯穿于保护层（2）的左侧。

【技术特征摘要】
1.一种提高光利用率的多晶硅片结构，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）的外侧分别设有细栏栅（15）和粗栏栅（16），所述细栏栅（15）和粗栏栅（16）垂直相交，所述本体（1）包括保护层（2）、钢化玻璃（9）、P型多晶硅片（3）和N型多晶硅片（4），所述钢化玻璃（9）、P型多晶硅片（3）和N型多晶硅片（4）均位于保护层（2）的内侧，所述P型多晶硅片（3）的顶端和N型多晶硅片（4）的底端之间设有导通层（5），所述N型多晶硅片（4）的顶部设有锥形凸起块（6），所述锥形凸起块（6）的外侧表面设有凹槽（7），所述锥形凸起块（6）的外侧连接有透明导电氧化层（8），所述透明导电氧化层（8）的右端连接有第一集电极（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙显强，
申请(专利权)人：温州市赛拉弗能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33