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本发明公开了一种高温低压的硅片扩散方法，将制绒后的硅片放入扩散炉中；扩散炉中的压强保持在0.001~0.5大气压条件下依次进行第一沉积，第一推进，第二沉积，第二推进，第三沉积，第三推进，得到均匀性好的含PN结硅片。采用本发明，可提高硅片间方...
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