一种硅片扩散设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅片扩散设备，该扩散设备包括炉体，在炉体内设有石英舟，硅片被放置于石英舟上，在炉体上还设有用于扩散气体进入炉体内的进气管和扩散处理后排放尾气的排放管，排放管位于石英舟下方，进气管内所流向硅片的扩散气体沿平行于硅片表面的方向流动，进气管在位于硅片的部位设有若干个喇叭形喷气嘴。该硅片扩散设备通过采用扩散气体平行于硅片表面流动的方式，使得扩散气体不会因为硅片自身的阻挡而到达不了硅片的背面以及硅片与硅片之间的空隙内，另外由于在进气管的气体出口处设置了喇叭形喷气嘴，使得气体扩散的更加均匀。进而有效的改善了硅片表面方块电阻的均匀性，其硅片表面的方块电阻极值差可以降低到3Ω/□以下。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种太阳能硅片加工设备，具体涉及ー种硅片扩散设备。
技术介绍
目前使用的太阳能电池硅片扩散炉，如图I所示，通常都是采用扩散气体进入炉体I后垂直于娃片3表面流动的方式,这种扩散方式使得扩散气体在受到娃片3表面的阻挡后，难以在硅片3背面及硅片3的间隙内均匀分布，造成硅片3表面方块电阻均匀性较差，硅片3中部方阻偏大，而四周偏小，硅片3表面的方块电阻极值差为10Ω / ロ
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供ー种硅片扩散设备，解决由于扩散气体在娃片上分布不均而造成的娃片表面方块电阻均勻性较差的问题。为实现上述目的，本技术的技术方案是设计ー种硅片扩散设备，所述扩散设备包括炉体，在炉体内设有石英舟，硅片被放置于石英舟上，在炉体上还设有用于扩散气体进入炉体内的进气管和扩散处理后排放尾气的排放管，排放管位于石英舟下方，其特征在于，所述的进气管内所流向硅片的扩散气体沿平行于硅片表面的方向流动，进气管在位于硅片的部位设有若干个喇叭形喷气嘴。其中优选的技术方案是，所述的进气管从炉体的侧面伸入到炉体内部且位于石英舟上方，放置在石英舟上的硅片表面垂直于炉体的水平中心线，所述喇叭形喷气嘴设置在进气管上垂直向下流出的出气孔上，在排放管上开设有垂直向上供尾气流入的进气孔。优选的技术方案还有，所述的进气管设置在炉体侧面井伸进炉体内，进气管出气端位于硅片侧向，放置在石英舟上的硅片表面平行于炉体的水平中心线，扩散处理后的尾气从排放管后端进入排放管排出炉体外。本技术的优点和有益效果在于该硅片扩散设备通过采用扩散气体平行于硅片表面流动的方式，使得扩散气体不会因为硅片自身的阻挡而到达不了硅片的背面以及硅片与硅片之间的空隙内，另外由于在进气管的气体出口处设置了喇叭形喷气嘴，使得气体扩散的更加均匀。如此，扩散气体能够均匀地分布在硅片表面，进而有效的改善了硅片表面方块电阻的均匀性，经测定，硅片表面的方块电阻极值差可以降低到3Ω/ □以下。附图说明图I是现有硅片扩散设备的结构示意图；图2是本技术第一种实施方式的结构示意图；图3是本技术另ー种实施方式的结构示意图。图中:1、炉体;2、石英舟；3、硅片；4、进气管；41、出气孔；42、喇叭形喷气嘴；5、排放管；51、进气孔。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进ー步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。如图2所示，是本技术第一种实施方式的结构示意图，ー种硅片扩散设备，包括炉体1，炉体I内设有石英舟2，将硅片3放置于石英舟2上，炉体I上设有用于扩散气体进入炉体I内的进气管4和扩散处理后排放尾气的排放管5，排放管5位于石英舟2下方，所述的进气管4从炉体I的侧面伸入到炉体I内部且位于石英舟2上方，进气管4在位于硅片3的部位设有若干个喇叭形喷气嘴42，放置在石英舟2上的硅片3表面垂直于炉体I的水平中心线，即与现有技术中硅片3的放置方式相同，将若干个喇叭形喷气嘴42安装在进气管4中垂直向下流出的出气孔41上，排放管5开设有垂直向上供尾气流入的进气孔51，扩散气体通过进气管4进入炉体1，从进气管4的出气孔41及喇叭形喷气嘴42流出，沿平 行于硅片3表面的方向流过硅片3进行扩散处理，再从排放管5上的进气孔51进入排放管而排出炉体Iタト，其中安装喇叭形喷气嘴42的目的是使得扩散气体流动得更加均匀。这种扩散气体的流动方式，不会因为硅片3自身的阻挡使得扩散气体到达不了硅片3的背面以及硅片3与硅片3之间的空隙内，可使扩散气体均匀地分布在硅片3表面，从而有效地改善了硅片3表面方块电阻的均匀性，经测定，硅片3表面的方块电阻极值差可以达到3 Ω / □以下。图3所示的是本技术的第二种实施方式的结构示意图，一种硅片扩散设备，包括炉体1，炉体I内设有石英舟2，将硅片3放置于石英舟2上，炉体I上设有用于扩散气体进入炉体I内的进气管4和扩散处理后排放尾气的排放管5，排放管5位于石英舟2下方，所述的进气管4设置在炉体I侧面并伸进炉体I内，进气管4的出气端位于硅片3侧向，放置后的硅片3表面平行于炉体I的水平中心线，也就是说与现有技术相比，等于是将原先硅片3在石英舟2的放置位置转过90°，这样，扩散气体进入炉体I后，依然可以保证沿平行于硅片3表面的方向流动，不会因为硅片3自身的阻挡而到达不了硅片3的背面以及硅片3与硅片3之间的空隙内，使得扩散气体能够均匀地分布在硅片3表面，从而有效地改善了硅片3表面方块电阻的均匀性，扩散处理后的尾气从排放管5后端进入排放管5排出炉体I外。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。权利要求1.一种硅片扩散设备，所述扩散设备包括炉体(I)，在炉体内设有石英舟(2)，硅片(3)被放置于石英舟(2)上，在炉体(I)上还设有用于扩散气体进入炉体(I)内的进气管(4)和扩散处理后排放尾气的排放管(5)，排放管(5)位于石英舟(2)下方，其特征在于，所述的进气管(4)内所流向硅片(3)的扩散气体沿平行于硅片(3)表面的方向流动，进气管(4)在位于硅片(3)的部位设有若干个喇叭形喷气嘴(42)。2.如权利要求I所述的硅片扩散设备，其特征在于，所述的进气管(4)从炉体(I)的侧面伸入到炉体(I)内部且位于石英舟(2)上方，放置在石英舟(2)上的硅片(3)表面垂直于炉体(I)的水平中心线，所述喇叭形喷气嘴(42)设置在进气管(4)上垂直向下流出的出气孔(41)上，在排放管(5)上开设有垂直向上供尾气流入的进气孔(51)。3.如权利要求I所述的硅片扩散设备，其特征在于，所述的进气管(4)设置在炉体(I)侧面并伸进炉体(I)内，进气管(4)出气端位于硅片(3)侧向，放置在石英舟(2)上的硅片(3)表面平行于炉体(I)的水平中心线，扩散处理后的尾气从排放管(5)后端进入排放管(5)排出炉体⑴外。专利摘要本技术公开了一种硅片扩散设备，该扩散设备包括炉体，在炉体内设有石英舟，硅片被放置于石英舟上，在炉体上还设有用于扩散气体进入炉体内的进气管和扩散处理后排放尾气的排放管，排放管位于石英舟下方，进气管内所流向硅片的扩散气体沿平行于硅片表面的方向流动，进气管在位于硅片的部位设有若干个喇叭形喷气嘴。该硅片扩散设备通过采用扩散气体平行于硅片表面流动的方式，使得扩散气体不会因为硅片自身的阻挡而到达不了硅片的背面以及硅片与硅片之间的空隙内，另外由于在进气管的气体出口处设置了喇叭形喷气嘴，使得气体扩散的更加均匀。进而有效的改善了硅片表面方块电阻的均匀性，其硅片表面的方块电阻极值差可以降低到3Ω/□以下。文档编号C30B31/18GK202658275SQ20122017672公开日2013年1月9日 申请日期2012年4月23日 优先权日2012年4月23日专利技术者沈彪, 李向清, 胡德良 申请人:江苏爱多光伏科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片扩散设备，所述扩散设备包括炉体(1)，在炉体内设有石英舟(2)，硅片(3)被放置于石英舟(2)上，在炉体(1)上还设有用于扩散气体进入炉体(1)内的进气管(4)和扩散处理后排放尾气的排放管(5)，排放管(5)位于石英舟(2)下方，其特征在于，所述的进气管(4)内所流向硅片(3)的扩散气体沿平行于硅片(3)表面的方向流动，进气管(4)在位于硅片(3)的部位设有若干个喇叭形喷气嘴(42)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈彪，李向清，胡德良，
申请(专利权)人：江苏爱多光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：