指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入制造技术

一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于太阳能电池,且特别是有关于采用离子植入(ion implantation)而形成的太阳能电池。
技术介绍
离子植入是一种将能够改变导电性的杂质引入到工件中的标准技术。想要的杂质材料游离(ionized)在离子源中，这些离子经加速而形成具有指定能量的离子束，然后使离子束前往工件表面。离子束中的高能离子穿透块体的工件材料并嵌入到工件材料的晶格(crystalline lattice)中，从而形成具有想要的导电性的区域。 太阳能电池是使用硅工件的装置的一个实例。高性能太阳能电池的制造或生产成本的任何程度的降低或高性能太阳能电池效率的任何程度的提高都会给全世界太阳能电池的实施带来积极的影响。这将使这种清洁能源技术得到更广泛的应用。太阳能电池通常是由p-n半导体接面(junction)来组成。图I是一种指叉型背面接触(interdigitated back contact, IBC)太阳能电池的横剖面图。在此指叉型背面接触太阳能电池中，P-n接面位于太阳能电池的背面或未显示的表面上。光子(Photons)IO通过箭头所示的上表面(或所显示的表面)而进入到太阳能电池100中。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.18 US 61/305,764;2011.02.16 US 13/028,5621.一种在基板上形成具有导电性的区域的方法，包括 将含有第一物种的掺质的糊剂涂敷在所述基板的表面的一个部位上； 当所述糊剂在所述表面的所述部位上时，将第二物种的掺质的离子植入到所述表面中，所述第二物种的导电性与所述第一物种的导电性相反，其中所述第二物种的所述掺质的所述离子中的大部分离子不会穿透所述糊剂； 执行热制程；以及 所述第二物种的离子被植入后，移除所述糊剂。2.根据权利要求I所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，其中所述第一物种与所述第二物种均选自铝、硼、镓、铟、磷、砷以及锑所组成的群组。3.根据权利要求I所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，其中所述热制程是在涂敷所述糊剂之后以及植入所述第二物种的所述离子之前执行，以将所述第一物种扩散到所述基板中。4.根据权利要求I所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，其中所述第二物种包括具有与所述第一物种相反的导电性的离子。5.根据权利要求I所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，其中所述第二物种包括具有与所述第一物种相同的导电性的离子。6.根据权利要求3所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，还包括在移除所述糊剂之后执行第二次热制程。7.根据权利要求6所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，其中在所述第二次热制程中，将钝化剂涂敷在所述基板的所述表面以及所述基板的与所述表面相对的表面的至少其中之一上。8.根据权利要求I所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，其中所述热制程是在植入所述第二物种的所述离子后执行，以扩散所述第一物种且韧化所述第二物种带来的植入损伤。9.根据权利要求8所述的在基板上形成具有导电性的区域的方法，还包括在所述热制程中将钝化...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿塔尔·古普塔，尼可拉斯·P·T·贝特曼，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：