扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法及太阳能电池技术

本发明专利技术的课题在于能够在将扩散剂组合物涂布于基板后实施热处理时抑制该扩散剂组合物所含的杂质扩散成分从涂布部分飞散到非涂布部分。本发明专利技术的扩散剂组合物用于在半导体基板上形成杂质扩散成分。该扩散剂组合物具有-O-Si-O-键和-P(=O)n-键[n为0或1]，所述-O-Si-O-键为下式所示的具有2～3个官能性基团的键。下式中，R分别独立地为有机基团或羟基。

【技术实现步骤摘要】
扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法及太阳能电池
本专利技术涉及用于在半导体基板上形成杂质扩散层的扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法。
技术介绍
一直以来，在太阳能电池的制造中，在半导体基板中形成例如N型杂质扩散层的情况下， 使含有N型杂质扩散成分的扩散剂从涂布于半导体基板表面的扩散剂中扩散N型杂质扩散成分，从而形成了 N型杂质扩散层。具体来说，首先，在半导体基板表面形成热氧化膜，接着，利用光刻法(photolithography)将具有规定图案的抗蚀剂层叠在热氧化膜上，将该抗蚀剂作为掩模并通过酸或碱蚀刻没有被抗蚀剂遮盖的热氧化膜部分，剥离抗蚀剂而形成热氧化膜的掩模。然后，涂布含有N型杂质扩散成分的扩散剂，在掩模开口的部分形成扩散组合物膜。利用高温使该部分扩散而形成N型杂质扩散层。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2012-9627
技术实现思路
专利技术要解决的问题 在以往的涂布(印刷)型的扩散剂组合物中，通常使杂质扩散成分与粘合剂、稀释溶剂独立存在。由于以往使用的杂质扩散成分为较低分子，因此容易受热升华。因而在热扩散工序中杂质扩散成分飞散到非涂布(印刷)部分而产生多余的杂质扩散。尤其在近年来的高效太阳能电池中大多采用后接点型，因此已经非常需要极力避免P层与N层之间的污染(contaminat1n)，使得通过热处理抑制杂质扩散成分飞散到非涂布(印刷)部分的技术变得重要起来。 本专利技术鉴于上述课题而完成，其目的在于提供在将扩散剂组合物通过涂布、印刷形成于基板后实施热处理时能够抑制该扩散剂组合物所含的杂质扩散成分从涂布部分飞散到非涂布部分的技术。 用于解决课题的手段 本专利技术的一个方案为一种扩散剂组合物，其用于在半导体基板上形成杂质扩散成分，所述扩散剂组合物具有-O-S1-O-键和-P (=0) η-键[η为O或I]，所述-O-S1-O-键为下式所示的具有2~3个官能性基团的键。 【化学式I】 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散剂组合物，其用于在半导体基板上形成杂质扩散成分，所述扩散剂组合物具有‑O‑Si‑O‑键和‑P(=O)n‑键，其中，n为0或1，所述‑O‑Si‑O‑键为下式所示的具有2～3个官能性基团的键，式中，R分别独立地为有机基团或羟基。

【技术特征摘要】
2013.03.29 JP 2013-0720011.一种扩散剂组合物，其用于在半导体基板上形成杂质扩散成分，所述扩散剂组合物具有-O-S1-O-键和-P (=0)η-键，其中，η为O或1，所述-O-S1-O-键为下式所示的具有2~3个官能性基团的键，式中，R分别独立地为有机基团或羟基。2.如权利要求1所述的扩散剂组合物，其具有下式所示的骨架，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫城忠，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP