【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池元件的η型扩散层形成组合物、η型扩散层的制造方法、P型扩散层形成组合物、P型扩散层的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法，更详细而言，涉及能够在作为半导体基板的硅基板的特定的部分形成η型扩散层的技术、以及能够使作为半导体基板的硅基板的内部应力减小、抑制结晶晶界的损伤、抑制结晶缺陷增长并且抑制翘曲的P型扩散层形成技术。
技术介绍
对以往的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。首先，为了促进陷光效果而实现高效率化，准备在受光面形成有纹理结构的P型硅基板，接着，在含施主元素化合物即氧氯化磷(POCI3)、氮气、氧气的混合气体气氛中在800 900°C下进行数十分钟的处理，在基板上均匀地形成η型扩散层。在该以往的方法中，使用混合气体进行磷的扩散，因此不仅表面形成η型扩散层，而且在侧面、背面也形成η型扩散层。因此，为了除去侧面的η型扩散层而进行侧蚀刻。此外，背面的η型扩散层需要变换为P+型扩散层，在背面的η型扩散层上赋予铝糊剂，将其烧成，通过铝的扩散使其从η型扩散层变换为P+型扩散层。另一方面，在半导体的制造领域中，例如像日本特开2002-7589...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤铁也，吉田诚人，野尻刚，冈庭香，町井洋一，岩室光则，木泽桂子，足立修一郎，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：
国别省市：
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