【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属残渣去除液、金属残渣的去除方法及金属配线的制造方法。本申请主张基于2022年9月16日于日本申请的日本专利申请2022-148036号及2023年4月5日于日本申请的日本专利申请2023-061457号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
1、在半导体元件或液晶显示元件的制造中，将抗蚀剂膜等作为掩膜而进行对导电性金属膜的蚀刻处理，形成配线图案。随着集成电路的高密度化，能够进行更高密度的细微蚀刻的干蚀刻成为主流。在对导电性金属膜进行干蚀刻后的基板上，附着有包含金属氧化物等的金属残渣。若不将这些金属残渣去除，则会产生造成半导体制造的成品率的下降等问题。
2、以往使用含有氟化合物及n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)的去除液作为金属残渣的去除液。例如，在专利文献1中记载有包含氟化铵、nmp、含巯基防腐剂及水的剥离液作为能够剥离光致抗蚀剂并且能够去除蚀刻残渣物的光致抗蚀剂用剥离液。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第3403187号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、近年来，nmp对人体的有害性被指出，各国正在推进强化管制。因此，需要将含nmp产品取代为去nmp化产品。对于金属残渣去除液，也要求开发不含nmp的产品。
3、此外，为了作为含有nmp的现有产品的替代品进行使用，优选具有与所述现有产品同等以上的金属残渣去除能力。
4、本专利技术鉴于上述情
5、用于解决上述技术问题的方案
6、为了解决上述技术问题，本专利技术采用了以下的构成。
7、本专利技术的第1方案是一种金属残渣去除液，含有：混合溶剂(s0)，包含第1有机溶剂(s1)及第2有机溶剂(s2)；不含金属离子的碱与氢氟酸的盐(f)；水，所述第1有机溶剂(s1)为二乙基甲酰胺，所述混合溶剂(s0)为从汉森溶解度参数的极性项(δp)减去汉森溶解度参数的氢键项(δh)而得的值为0.6以上的混合溶剂。
8、本专利技术的第2方案是一种金属残渣的去除方法，包括使所述第1方案的金属残渣去除液与被处理体接触的工序。
9、本专利技术的第3方案是一种金属配线的制造方法，包括：对包含金属层的基板的所述金属层进行蚀刻，形成金属配线的工序；使所述第1方案的金属残渣去除液与所述蚀刻后的基板接触的工序。
10、专利技术效果
11、根据本专利技术，能够提供金属残渣去除能力良好且不含nmp的金属残渣去除液、以及使用所述金属残渣去除液的金属残渣的去除方法及金属配线的制造方法。
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1.一种金属残渣去除液，其特征在于，含有：
2.如权利要求1所述的金属残渣去除液，其特征在于，所述第1有机溶剂(S1)的含量相对于所述金属残渣去除液的总质量为40～70质量％。
3.如权利要求1或2所述的金属残渣去除液，其特征在于，所述第2有机溶剂(S2)的含量相对于所述金属残渣去除液的总质量为10～30质量％。
4.如权利要求1或2所述的金属残渣去除液，其特征在于，所述金属残渣包含选自由铝、铜、钛、镍、钌、钨及钴、以及它们的氧化物构成的组中的至少1种。
5.一种金属残渣的去除方法，其特征在于，包括使权利要求1～4的任一项所述的金属残渣去除液与被处理体接触的工序。
6.如权利要求5所述的金属残渣的去除方法，其特征在于，所述被处理体包含金属配线。
7.一种金属配线的制造方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种金属残渣去除液，其特征在于，含有：
2.如权利要求1所述的金属残渣去除液，其特征在于，所述第1有机溶剂(s1)的含量相对于所述金属残渣去除液的总质量为40～70质量％。
3.如权利要求1或2所述的金属残渣去除液，其特征在于，所述第2有机溶剂(s2)的含量相对于所述金属残渣去除液的总质量为10～30质量％。
4.如权利要求1或2所述的金属残渣...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊万·利兹，菅原每，吴宇耕，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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