System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 负型感光性组合物及图案形成方法技术_技高网

负型感光性组合物及图案形成方法技术

技术编号:40150603 阅读:8 留言:0更新日期:2024-01-26 22:58
本发明专利技术涉及负型感光性组合物及图案形成方法。采用含有Novolac型多官能芳香族环氧树脂(Ap)、3官能环氧单体(Am)、和式(I0)表示的锍盐的负型感光性组合物。使质量比(Am)/(Ap)为5/5~8/2。式(I0)中,R1及R2表示芳基、杂环式烃基或烷基。R3~R5为烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环式烃基、芳基氧基、羟基(多)亚烷基氧基或卤素原子。k为0~4的整数,m为0~3的整数,n为1~4的整数。L为‑S‑、‑O‑、‑SO‑、‑SO2‑或‑CO‑。X‑表示一价的多原子阴离子。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及负型感光性组合物及图案形成方法。本申请基于于2022年7月19日在日本提出申请的、日本特愿2022-114987号主张优先权,将其内容援引于此。


技术介绍

1、近年来,随着电子部件的小型化及高密度化,对于例如用于声表面波(saw)滤波器等具有中空密封结构的电子部件的感光性材料的要求提高。在该电子部件的中空密封结构的形成中,感光性材料用于半导体晶片与透明基板之间的间隔件(壁材)、或顶板部的顶部材料。

2、例如使用负型感光性组合物,在半导体晶片的表面形成感光性膜,对该感光性膜进行基于光、电子束等放射线的选择性曝光,实施显影处理而形成图案后,与透明基板(例如玻璃基板)等压接而制成间隔件。在该感光性膜中,利用光刻法,在实施显影处理时形成间隔件所需厚度的膜、并且能够以良好形状且没有残渣等地进行高分辨率的图案化变得很有必要。

3、作为形成前述感光性膜的感光性材料,以往提出了包含在1分子中具有2个以上环氧基的含环氧基的树脂、和各种阳离子聚合引发剂的感光性组合物(例如,参见专利文献1)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本特开2022-15071号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、电子部件的小型化及高密度化日益发展的过程中,在中空密封结构的形成中,微细尺寸的图案形成变得重要。

3、然而,就专利文献1所记载的感光性材料等以往的感光性材料而言,在尝试通过提高环氧基间的反应性来实现图案尺寸的微细化的情况下,存在半导体晶片界面附近的固化不充分而容易产生图案形状的不良这样的问题。

4、本专利技术是鉴于上述情况而做出的,课题在于提供具有良好的敏感度、提高了图案形状的矩形性的负型感光性组合物以及使用其的图案形成方法。

5、用于解决课题的手段

6、为了解决上述课题,本专利技术采用以下的构成。

7、即,本专利技术的第1方式为负型感光性组合物,其特征在于,其是含有(a)成分:含环氧基的化合物及(i)成分:阳离子聚合引发剂的负型感光性组合物,前述(a)成分包含(ap)成分:novolac型多官能芳香族环氧树脂、和(am)成分:3官能环氧单体,前述(i)成分包含(i0)成分:下述通式(i0)表示的锍盐,以由(am)成分/(ap)成分表示的质量比计,前述(ap)成分与前述(am)成分的混合比率为5/5~8/2。

8、[化学式1]

9、

10、[式(i0)中,r1及r2各自表示碳原子数6~30的芳基、碳原子数4~30的杂环式烃基、或碳原子数1~30的烷基,这些芳基、杂环式烃基或烷基的氢原子的一部分可以被取代基(t)取代。该取代基(t)为选自由碳原子数1~18的烷基、羟基、碳原子数1~18的烷氧基、碳原子数2~18的烷基羰基、碳原子数7~11的芳基羰基、碳原子数2~19的酰氧基、碳原子数6~20的芳基硫基、碳原子数1~18的烷基硫基、碳原子数6~10的芳基、碳原子数4~20的杂环式烃基、碳原子数6~10的芳基氧基、ho(-r6o)q-{r6o表示乙烯氧基及/或丙烯氧基,q表示1~5的整数。}表示的羟基(多)亚烷基氧基、及卤素原子组成的组中的至少一种。r3~r5各自为烷基、羟基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、酰氧基、芳基硫基、烷基硫基、芳基、杂环式烃基、芳基氧基、羟基(多)亚烷基氧基、或卤素原子。k、m及n表示r3、r4及r5的数目,k为0~4的整数,m为0~3的整数,n为1~4的整数。k、m及n各自为2以上的情况下,多个r3、r4及r5彼此可以相同也可以不同。l为-s-、-o-、-so-、-so2-、或-co-表示的基团,o为氧原子,s为硫原子,x-表示一价的多原子阴离子。]

11、本专利技术的第2方式为图案形成方法,其特征在于,包括:使用前述第1方式涉及的负型感光性组合物,在支承体上形成感光性膜的工序;对前述感光性膜进行曝光的工序;和利用含有有机溶剂的显影液对前述曝光后的感光性膜进行显影而形成负型图案的工序。

12、专利技术的效果

13、根据本专利技术,能够提供具有良好的敏感度、提高了图案形状的矩形性的负型感光性组合物以及使用其的图案形成方法。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.负型感光性组合物,其为含有(A)成分:含环氧基的化合物及(I)成分:阳离子聚合引发剂的负型感光性组合物,

2.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述通式(I0)中的R2为被所述取代基(t)取代的、碳原子数6~30的芳基。

3.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述通式(I0)中的X-为硼酸根阴离子。

4.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述(Am)成分为下述通式(Am-1)表示的单体,

5.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述(Ap)成分为下述通式(Ap-1)表示的树脂,

6.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,相对于所述(A)成分的含量100质量份而言,所述(I0)成分的含量为0.1~5质量份。

7.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其还含有硅烷偶联剂。

8.图案形成方法,其包括:

【技术特征摘要】

1.负型感光性组合物,其为含有(a)成分:含环氧基的化合物及(i)成分:阳离子聚合引发剂的负型感光性组合物,

2.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述通式(i0)中的r2为被所述取代基(t)取代的、碳原子数6~30的芳基。

3.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述通式(i0)中的x-为硼酸根阴离子。

4.如权利要求1所述的负型感光性组合物,其中,所述(a...

【专利技术属性】
技术研发人员:片山翔太近藤崇弘山形宪一今井洋文
申请(专利权)人:东京应化工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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