光学邻近修正方法技术

技术编号：40150007 阅读：4 留言：0更新日期：2024-01-26 22:52

一种光学邻近修正方法，包括：获取第一修正图形；根据第一修正图形获取第一曝光图形，包括第一曝光边和第二曝光边；提供目标图形，包括第一目标边和第二目标边；获取第一曝光边与第一目标边之间的第一边缘放置误差、第二曝光边与第二目标边之间的第二边缘放置误差，第一边缘放置误差大于预设边缘放置误差范围，第二边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内；对第一修正图形进行若干次光学邻近修正，用于将第一边缘放置误差减小至预设边缘放置误差范围内，且保持第二边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内。通过光学邻近修正能够保证第一边缘放置误差和第二边缘放置误差同时位于预设边缘放置误差范围，有效提升了修正效率和精度。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种光学邻近修正方法。

技术介绍

1、光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

2、在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(ope：optical proximity effect)。

3、为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(opc：optical proximitycorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

4、然而，现有技术的光学邻近修正仍存在诸多问题。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种光学邻近修正方法，以提升修正精度以及修正效率。

2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：获取第一修正图形，所述第一修正图形包括第一修正边和第二修正边；对所述第一修正图形进行第一曝光处理获取第一曝光图形，所述第一曝光图形包括与所述第一修正边相对应的第一曝光边、以及与所述第二修正边相对应的第二曝光边；提供目标图形，所述目标图形包括与所述第一曝光边相对应的第一目标边、以及与所述第二曝光边相对应的第二目标边；获取所述第一曝光边与所述第一目标边之间的第一边缘放置误差、以及所述第二曝光边与所述第二目标边之间的第二边缘放置误差；提供预设边缘放置误差范围，所述第一边缘放置误差大于所述预设边缘放置误差范围，所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内；对所述第一修正图形进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边以减小所述第一边缘放置误差至所述预设边缘放置误差范围内，以及平移所述第二修正边以保持所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，获取第二修正图形。

3、可选的，获取所述第一修正图形的方法包括：提供初始图形，所述初始图形包括第一边和第二边；对所述初始图形进行初始光学邻近修正，获取所述第一修正图形，所述第一修正边与所述第一边相对应，所述第二修正边与所述第二边相对应。

4、可选的，获取所述第一边缘放置误差的方法包括：获取所述第一曝光边的第一采样点；获取所述第一目标边的第二采样点；获取所述第一采样点与所述第二采样点的第一间距尺寸，以所述第一间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

5、可选的，获取所述第二边缘放置误差的方法包括：获取所述第二曝光边的第三采样点；获取所述第二目标边的第四采样点；获取所述第三采样点与所述第四采样点的第二间距尺寸，以所述第二间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

6、可选的，所述目标图形具有目标中心点，所述第一采样点与所述目标中心点之间的间距小于所述第二采样点与所述目标中心点之间的间距。

7、可选的，所述第一修正图形具有修正中心点，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边朝向远离所述修正中心点的方向平移第一修正尺寸；将所述第二修正边朝向靠近所述修正中心点的方向平移第二修正尺寸。

8、可选的，所述第二修正尺寸小于所述第一修正尺寸。

9、可选的，所述目标图形具有目标中心点，所述第一采样点与所述目标中心点之间的间距大于所述第二采样点与所述目标中心点之间的间距。

10、可选的，所述第一修正图形具有修正中心点，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边朝向靠近所述修正中心点的方向平移第一修正尺寸；将所述第二修正边朝向远离所述修正中心点的方向平移第二修正尺寸。

11、可选的，所述第二修正尺寸小于所述第一修正尺寸。

12、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：

13、本专利技术的技术方案提供的光学邻近修正方法中，对所述第一修正图形进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边以减小所述第一边缘放置误差至所述预设边缘放置误差范围内，以及平移所述第二修正边以保持所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，获取第二修正图形。通过若干次所述光学邻近修正既使得所述第一边缘放置误差减小至所述预设边缘放置误差范围内，同时又能够保持所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，不但有效提升了修正效率，而且也能够提升修正精度。

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【技术保护点】

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一修正图形的方法包括：提供初始图形，所述初始图形包括第一边和第二边；对所述初始图形进行初始光学邻近修正，获取所述第一修正图形，所述第一修正边与所述第一边相对应，所述第二修正边与所述第二边相对应。

3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一边缘放置误差的方法包括：获取所述第一曝光边的第一采样点；获取所述第一目标边的第二采样点；获取所述第一采样点与所述第二采样点的第一间距尺寸，以所述第一间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第二边缘放置误差的方法包括：获取所述第二曝光边的第三采样点；获取所述第二目标边的第四采样点；获取所述第三采样点与所述第四采样点的第二间距尺寸，以所述第二间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图形具有目标中心点，所述第一采样点与所述目标中心点之间的间距小于所述第二采样点与所述目标中心点之间的间距。

6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一修正图形具有修正中心点，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边朝向远离所述修正中心点的方向平移第一修正尺寸；将所述第二修正边朝向靠近所述修正中心点的方向平移第二修正尺寸。

7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二修正尺寸小于所述第一修正尺寸。

8.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图形具有目标中心点，所述第一采样点与所述目标中心点之间的间距大于所述第二采样点与所述目标中心点之间的间距。

9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一修正图形具有修正中心点，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边朝向靠近所述修正中心点的方向平移第一修正尺寸；将所述第二修正边朝向远离所述修正中心点的方向平移第二修正尺寸。

10.如权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二修正尺寸小于所述第一修正尺寸。

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【技术特征摘要】

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图形具有目标中心点，所述第一采样点与所述目标中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：严中稳，王晨，张戈，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人