【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,具体涉及一种光学邻近修正方法。
技术介绍
1、光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术,光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面,形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中,光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上,光刻胶在光线的照射下发生化学反应;在显影步骤中,利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同,形成光刻图案,实现掩膜版图案转移到光刻胶上;在刻蚀步骤中,基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀,将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
2、在半导体制造中,随着设计尺寸的不断缩小,设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限,光的衍射效应变得越来越明显,导致最终对设计图形产生光学影像退化,实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变,最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同,这种现象称为光学邻近效应(ope:optical proximity effect)。
3、为了修正光学邻近
...【技术保护点】
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一修正图形的方法包括:提供初始图形,所述初始图形包括第一边和第二边;对所述初始图形进行初始光学邻近修正,获取所述第一修正图形,所述第一修正边与所述第一边相对应,所述第二修正边与所述第二边相对应。
3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一边缘放置误差的方法包括:获取所述第一曝光边的第一采样点;获取所述第一目标边的第二采样点;获取所述第一采样点与所述第二采样点的第一间距尺寸,以所述第一间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。
4.如...
【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一修正图形的方法包括:提供初始图形,所述初始图形包括第一边和第二边;对所述初始图形进行初始光学邻近修正,获取所述第一修正图形,所述第一修正边与所述第一边相对应,所述第二修正边与所述第二边相对应。
3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一边缘放置误差的方法包括:获取所述第一曝光边的第一采样点;获取所述第一目标边的第二采样点;获取所述第一采样点与所述第二采样点的第一间距尺寸,以所述第一间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。
4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第二边缘放置误差的方法包括:获取所述第二曝光边的第三采样点;获取所述第二目标边的第四采样点;获取所述第三采样点与所述第四采样点的第二间距尺寸,以所述第二间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。
5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述目标图形具有目标中心点,所述第一采样点与所述目标中心...
【专利技术属性】
技术研发人员:严中稳,王晨,张戈,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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