光学邻近修正方法技术

技术编号:40150007 阅读:32 留言:0更新日期:2024-01-26 22:52
一种光学邻近修正方法,包括:获取第一修正图形;根据第一修正图形获取第一曝光图形,包括第一曝光边和第二曝光边;提供目标图形,包括第一目标边和第二目标边;获取第一曝光边与第一目标边之间的第一边缘放置误差、第二曝光边与第二目标边之间的第二边缘放置误差,第一边缘放置误差大于预设边缘放置误差范围,第二边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内;对第一修正图形进行若干次光学邻近修正,用于将第一边缘放置误差减小至预设边缘放置误差范围内,且保持第二边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内。通过光学邻近修正能够保证第一边缘放置误差和第二边缘放置误差同时位于预设边缘放置误差范围,有效提升了修正效率和精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种光学邻近修正方法


技术介绍

1、光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术,光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面,形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中,光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上,光刻胶在光线的照射下发生化学反应;在显影步骤中,利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同,形成光刻图案,实现掩膜版图案转移到光刻胶上;在刻蚀步骤中,基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀,将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

2、在半导体制造中,随着设计尺寸的不断缩小,设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限,光的衍射效应变得越来越明显,导致最终对设计图形产生光学影像退化,实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变,最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同,这种现象称为光学邻近效应(ope:optical proximity effect)。

3、为了修正光学邻近效应,便产生了光学邻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一修正图形的方法包括:提供初始图形,所述初始图形包括第一边和第二边;对所述初始图形进行初始光学邻近修正,获取所述第一修正图形,所述第一修正边与所述第一边相对应,所述第二修正边与所述第二边相对应。

3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一边缘放置误差的方法包括:获取所述第一曝光边的第一采样点;获取所述第一目标边的第二采样点;获取所述第一采样点与所述第二采样点的第一间距尺寸,以所述第一间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

4.如...

【技术特征摘要】

1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一修正图形的方法包括:提供初始图形,所述初始图形包括第一边和第二边;对所述初始图形进行初始光学邻近修正,获取所述第一修正图形,所述第一修正边与所述第一边相对应,所述第二修正边与所述第二边相对应。

3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第一边缘放置误差的方法包括:获取所述第一曝光边的第一采样点;获取所述第一目标边的第二采样点;获取所述第一采样点与所述第二采样点的第一间距尺寸,以所述第一间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取所述第二边缘放置误差的方法包括:获取所述第二曝光边的第三采样点;获取所述第二目标边的第四采样点;获取所述第三采样点与所述第四采样点的第二间距尺寸,以所述第二间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。

5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述目标图形具有目标中心点,所述第一采样点与所述目标中心...

【专利技术属性】
技术研发人员:严中稳王晨张戈
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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