用于除去杂质的清洗液组合物及除去杂质的方法技术

本发明专利技术提供一种清洗液组合物以及使用该组合物除去杂质的方法，其适于将残留在用于形成电子电路的基板及用于形成上述电子电路的制造装置的部件上的杂质除去。上述清洗液组合物包括：含有４～５０重量％的从柠檬酸、柠檬酸盐、氟化物盐、氟酸、双氧水及过硫酸铵所构成的群组中所选择的二个化合物，以及剩余量的水（Ｈ↓［２］Ｏ）。具有此类成分的清洗液组合物，适用于除去在形成电子电路的基板表面上所残留杂质的工序，可使构成该杂质的物质再次附着于基板上等的污染最小化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于除去杂质的清洗液组合物及使用该组合物除去杂质的方法，更具体地说是一种将残留在用于形成电子电路的基板及用于形成上述电子电路的制造装置的部件的表面上的杂质除去的清洗液组合物及使用该组合物除去杂质的方法。
技术介绍
在形成电子电路的工序中使用硅晶片。上述硅晶片，可大致划分为生产晶片(primewafer)及测试晶片(test wafer)(虚设晶片，dummy wafer)。上述生产晶片可用于电子电路，即半导体产品的制造；上述测试晶片可用于进行确认半导体工序是否发挥出令人满足的性能的检查。而且，在制造半导体的工序时，共同投入测试晶片与生产晶片可呈现出缓冲作用，或者单独投入测试晶片而临时使用于工序之稳定化。用于此类用途的测试晶片经过上述工序后，各种杂质积层在其表面。此杂质的种类因工序的不同而不同，但是其为一层以上的膜。作为蒸镀在上述测试晶片上的杂质的例子，可以列举由氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiO2)等所形成的非金属杂质及由铝(Al)，钛(Ti)，钨(W)，铜(Cu)，钽(Ta)等所形成的金属杂质。而且，也可列举由金属氮化物或者金属硅化物所形成的杂质。为了除去上述杂质，可对积层了上述杂质的晶片实施晶片再生工序。该再生工序包含化学性蚀刻工序、研削工序、研磨工序等。经过这些再生工序，而产生了上述晶片在每次再生时厚度减少约20～50μm左右的问题。此类问题影响到测试晶片的再生次数，从而导致生产费用增加。即，例如在以8英时的晶片为基准，标准厚度为725±25μm时，可再使用的晶片厚度为600～650μm。因此，导致晶片可再生的次数被限制的问题。而且，也产生因溶液种类而导致晶片无法被均匀蚀刻，从而在表面产生瑕疵等的问题。而且，在以前所使用的除去杂质的方法中，在一般所使用的化学蚀刻方法中，为了蚀刻铝(Al)，铁(Fe)，锌(Zn)等的金属膜，则单独或者混合使用盐酸(HCl)，氟酸(HF)，硝酸(HNO3)，醋酸(CH3COOH)等酸性试剂，有时也使用盐酸与双氧水的混合液。而且，作为一般用于除去积层膜的酸性蚀刻用试剂，可列举氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、醋酸(CH3COOH)、硫酸(H2SO4)；作为碱性试剂，可列举氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氨水(NH4OH)等；在使用酸性溶液时，所使用的液体是本身在大气压下有发烟性的剧毒试剂。而且，作为用于将Ti、W、Cu金属及其氮化物、硅化物膜，或者其各自组合所形成的多层膜结构中除去杂质的碱性药液的使用例，可使用将KOH或NaOH与H2O2组合的蚀刻液，或者使用将NH4OH与H2O2组合的蚀刻液。此类酸性以及碱性蚀刻液，与基板表层的各种金属及其氮化物、硅化物膜产生反应，而使得不溶性的反应生成物再次附着在基板上，不仅产生引起如瑕疵的问题，而且由于此组合，会产生基板被蚀刻的问题。而且，上述试剂即HF、HNO3、HCl、NH4OH等试剂因归类为发烟性有毒试剂，所以试剂的使用及排出的规章制度须得到强化，从而严格制限了此类试剂的使用。该蚀刻液毒性非常强，不仅对进行蚀刻工序的环境产生非常恶劣的影响，而且在接触人体，或吸入其蒸气时，非常危险。而且，在大口径晶片中，在平坦的基板受到蚀刻液的损伤时，为了使该基板再次平坦化，必须进行研削以及研磨工序，从而增加其费用。在日本专利文献1中以如下方式揭示了使用上述试剂的蚀刻液。将5～20重量％的HF以及15～30重量％的HNO3混合，并且使混合酸浓度成为20～50重量％，然后添加CH3COOH，而形成用于除去积层在硅基板表面上的金属膜的蚀刻液。具有该组成的蚀刻液为HF+HNO3+CH3COOH的混合酸(MAEMixed Acid Etchant)，为了减缓急剧的蚀刻速度，仅对各种酸性试剂的浓度范围作了规定。而且，因为必须进一步实施以碱溶液进行追加蚀刻的工序，所以使用上述蚀刻液的基板具有无法避免损伤基板的问题。而且，在用于形成电子电路的基板制造装置的部件中，与在电子电路基板上形成膜质的工序中所形成的膜质为同样或者类似的物质，在工序进行中会产生附着—积累的问题。因此，为了再使用上述部件，必须实施除去附着在其表面上的物质的工序。除去该附着物质的清洗工序，因其部件的种类不同而不同，可使用易于溶解多数金属物质及其化合物的HF水溶液，或者有时使用NH4OH等碱溶液。大多数适用于制造该电子电路的装置的部件，是由陶瓷(Al3O3)、铝(Al，阳极氧化铝(Anodized Al)、石英(SiO2)及具有耐腐蚀性的不锈钢材料所构成。因为该部件的大部分是由不耐酸性及不耐碱性的材料所构成，所以在除去所附着杂质的同时，难以避免部件表面被损伤。因此类部件的表面损伤会导致该部件表面有凹凸，此类凹凸在工序进行中成为微粒产生的主要原因，其结果是引起部件的使用寿命缩短，并且电子电路的品质下降以及产率下降。专利文献1日本专利特开平11-302877号公报
技术实现思路
因此，为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种清洗液组合物，其可以除去残留在用于形成电子电路的基板及制造装置部件上的杂质而不损伤母材，并且不造成环境污染。另外，本专利技术的其他目的在于提供一种除去杂质的方法，其在使用上述组合物来制备除去杂质的清洗液之后，再除去残留在上述基板及制造装置部件上的杂质。因此，为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术的一个实施例的用于除去杂质的清洗液组合物包括4～50重量％的从柠檬酸、柠檬酸盐、氟化物盐、氟酸、双氧水及过硫酸铵所组成的群组中所选择的二个化合物，以及与剩余量的水。而且，本专利技术的一个具体实施例的用于除去杂质的清洗液组合物，其为包括氟化物盐及柠檬酸的化合物。该组合物包括2～25重量％的氟化物盐、2～25重量％的柠檬酸、及剩余量的水。而且，本专利技术的另一个具体实施例的用于除去杂质的清洗液组合物，其为包括氟酸与柠檬酸的化合物。该组合物包含2～25重量％的氟酸、2～25重量％的柠檬酸、及剩余量的水。而且，本专利技术的其他具体实施例的用于除去杂质的清洗液组合物，其为包括柠檬酸与双氧水的化合物。该组合物包含2～25重量％的柠檬酸、2～25重量％的双氧水、及剩余量的水。而且，本专利技术的其他具体实施例的用于除去杂质的清洗液组合物，其为包括2～25重量％的氟化氢盐、2～25重量％的过硫酸铵、及剩余量的水。为了达到本专利技术其他目的的，本专利技术的一个实施例的除去杂质的方法包括下列工序。首先，准备用于除去杂质的清洗液，此清洗液包括4～50重量％的从柠檬酸、柠檬酸盐、氟化物盐、氟酸、双氧水及过硫酸铵所组成的群组中所选择的二个化合物，及剩余量的水；然后，使用该用于除去杂质的清洗液，来除去残留在用于形成基板或者电子电路的制造装置表面上的杂质。本专利技术的除去杂质的方法中，在该化合物包括氟化物盐与柠檬酸时，该清洗液包括2～25重量％的氟化物盐、2～25重量％的柠檬酸、及剩余量的水为较佳。本专利技术的除去杂质的方法中，在该化合物包括氟酸及柠檬酸时，该清洗液包括2～25重量％的氟酸、2～25重量％的柠檬酸、及剩余量的水为较佳。本专利技术的除去杂质的方法中，在该化合物包括柠檬酸盐及双氧水时，该清洗液包括2～25重量％的柠檬酸盐、2～25重量％的双氧水、及剩余量的水为较佳。本专利技术的除去杂质的方法中，该杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，包括：４～５０重量％的从柠檬酸、柠檬酸盐、氟化物盐、氟酸、双氧水、及过硫酸铵所组成的群组中所选择的二个化合物，以及剩余量的水。

【技术特征摘要】
1.一种用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，包括4～50重量％的从柠檬酸、柠檬酸盐、氟化物盐、氟酸、双氧水、及过硫酸铵所组成的群组中所选择的二个化合物，以及剩余量的水。2.如权利要求1所述的用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，上述化合物含有上述氟化物盐及上述柠檬酸。3.如权利要求2所述的用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，该组合物含有2～25重量％的上述氟化物盐、2～25重量％的上述柠檬酸及剩余量的水。4.如权利要求1所述的用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，上述化合物含有上述氟酸及上述柠檬酸。5.如权利要求4所述的用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，该组合物含有2～25重量％的上述氟酸及2～25重量％的上述柠檬酸及剩余量的水。6.如权利要求1所述的用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，上述化合物含有上述柠檬酸盐及上述双氧水。7.如权利要求6所述用于除去杂质的清洗液组合物，其特征在于，该组合物含有2～25重量％的上述柠檬酸盐及2～25重量％的上述双氧水及剩余量的水。8.一种除去杂质的方法，其特征在于，该方法包括准备用于除去杂质的清洗液的工序，该请洗液包括4～50重量％的从柠檬酸、柠檬酸盐、氟化物盐、氟酸、双氧水及过硫酸铵所组成的群组中所选择的二个化合物，及剩余量的水；以及使用上述清洗液除去残留在用于形成基板或者电子电路的制造装置的表面上的杂质的工序。9.如权利要求8所述的除去杂质的方法，其特征在于，当上述化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：李起桢，
申请(专利权)人：李起元，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]