超薄氧化层的激光处理生长方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明专利技术。本发明专利技术超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为：将硅片放置在氧化性气氛中；或，对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素；亦或，在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明专利技术超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明专利技术超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理，使用方便，可生成质量好的薄氧化层，适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超薄氧化层的激光处理生长方法及装置。
技术介绍
在当前主流的半导体CMOS工艺中，由于栅介质层对于器件性能的重要性，对栅氧化层生长过程及氧化层质量的要求和控制都是最为严格的。随着器件尺寸的日益缩小，该薄氧化层的厚度越来越薄，通常已小于10nm。现有工艺中栅氧化层是通过热生长方式得到的。将硅片加热至1000°C左右，并且向反应容器中通入高纯氧，使得硅表面氧化，生成栅氧化层。由于硅片表面存在约2 3nm 的自然氧化层，该层的厚度和质量都是随机性的，不属于工艺上可控制的范围，因此超薄氧化层的生长成为半导体工艺中的一个技术难点。即使不存在自然氧化层因素，热氧化过程中较高温度(例如900°C)下氧化层生长速度很快，造成超薄氧化层生常过程不易精确控制。而如果温度设置较低(例如800°C或以下)，则硅材料几乎不与氧发生化学反应，又得不到氧化硅介质层。
技术实现思路
为了克服上述的缺陷，本专利技术提供一种低温状态下达到良好生长效果的超薄氧化层的激光处理生长方法。为达到上述目的，一方面，本专利技术提供一种超薄氧化层的激光处理生长方法，所述方法为在硅片的浅表面层引入氧化剂后对该硅片进行激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄氧化层的激光处理生长方法，其特征在于，所述方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射；所述浅表面为硅片表面0至20nm范围内的部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：严利人，刘志弘，张伟，周卫，韩冰，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：